[实用新型]生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片有效
| 申请号： | 201720415994.2 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN206697514U | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 李国强;韩晶磊;温雷;高芳亮 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 衬底 氮化 纳米 led 外延 | ||
【权利要求书】：
1.生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，其特征在于，包括多根生长在硅衬底上的纳米柱；每根纳米柱由下至上依次包括非掺杂含铟氮化镓纳米柱、n型掺杂氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱和p型掺杂氮化镓层。
2.根据权利要求1所述的生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，其特征在于，所述非掺杂含铟氮化镓纳米柱的高度为300～900nm，直径为30～100nm。
3.根据权利要求1所述的生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，其特征在于，所述n型掺杂氮化镓层的高度为1～3μm。
4.根据权利要求1所述的生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，其特征在于，所述铟镓氮/氮化镓多量子阱为7～10个周期的铟镓氮阱层/氮化镓垒层，其中铟镓氮阱层的高度为2～3nm，氮化镓垒层的高度为10～13nm。
5.根据权利要求1所述的生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，其特征在于，所述p型掺杂氮化镓层的高度为300～350nm。
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