[实用新型]一种半导体过流指示装置

权利要求书

1.一种半导体过流指示装置，其特征在于：包括多个检测电路、复位按钮和外部告警电路，各所述检测电路的输出端均与外部告警模块的输入端连接，所述复位按钮的输出端与各检测电路的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体过流指示装置，其特征在于：所述检测电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一晶体管、第二晶体管、第一电容、第二电容、第一温控开关和第一发光二极管，所述第一晶体管的发射极与复位按钮的输出端连接，所述第一晶体管的发射极通过第一电阻连接至第一晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极依次通过第一温控开关和第四电阻进而连接至第二晶体管的基极，所述第一晶体管的发射极通过第一电容与地连接，所述第一晶体管的基极通过第三电阻连接至第二晶体管的集电极，所述第一晶体管的集电极通过第二电阻连接至第二晶体管的基极，所述第二晶体管的基极通过第五电阻与地连接，所述第二晶体管的基极连接至第二电容的正极端，所述第二晶体管的发射极和第二电容的负极端均与地连接，所述第一晶体管的集电极与第一发光二极管的正极端连接，所述第一发光二极管的负极端与外部告警电路的输入端连接。

3.根据权利要求2所述的一种半导体过流指示装置，其特征在于：所述外部告警电路包括继电器和外部告警模块，所述继电器包括继电器线圈和继电器触点所述继电器线圈连接在第一发光二极管的负极端与电源端之间，所述继电器触点与外部告警模块连接。

4.根据权利要求2所述的一种半导体过流指示装置，其特征在于：所述第一晶体管为PNP晶体管，所述第二晶体管为NPN晶体管。

5.根据权利要求2所述的一种半导体过流指示装置，其特征在于：所述第二电容为电解电容。