[实用新型]一种能够形成变梯度静磁场的磁体系统结构有效

专利信息
申请号: 201720431548.0 申请日: 2017-04-25
公开(公告)号: CN206906567U 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 刘化冰;汪正垛;孙哲;陈伟梁;宗芳荣 申请(专利权)人: 北京青檬艾柯科技有限公司
主分类号: G01R33/34 分类号: G01R33/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102299 北京市昌平区科技园区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 能够 形成 梯度 磁场 磁体 系统 结构
【权利要求书】:

1.一种能够形成变梯度静磁场的磁体系统结构,其特征在于,适用于核磁共振检测装置系统,无需额外搭建梯度成像线圈;

所述能够形成变梯度静磁场的磁体系统结构由磁体部分,固定磁体的外壳部分和磁场调节部分组成,其中磁体部分由两层环形的磁体阵列组成,分别为内环磁体阵列和外环磁体阵列;所述内环磁体阵列和外环磁体阵列均由沿着柱体轴向方向的n层磁环排列组成,所述n层磁环由2N个磁棒构成,n和N为大于2的自然数,阵列组成存在2N-1对耦合级磁棒,每一对耦合级磁棒按照沿柱体轴对称方式排布,每一层磁环的阵列组成均可相同或不同:所述内环磁体阵列的耦合级磁棒的磁化方向相同,所述外环磁体阵列的耦合级磁棒的磁化方向相反。

2.根据权利要求1所述的一种能够形成变梯度静磁场的磁体系统结构,其特征在于,每一层磁环的阵列组成沿着圆周方向排列,每层磁环中磁棒的厚度和层与层之间的距离,以及每一层磁环的阵列组成的圆周的直径均由迭代算法优化设计得出,所述内环磁体阵列的磁棒的圆周排列方式形成的腔内产生第一静磁场,所述第一静磁场具有特定磁场强度,所述第一静磁场方向与邻近的磁棒磁化方向相同。

3.根据权利要求2所述的一种能够形成变梯度静磁场的磁体系统结构,其特征在于,所述外环磁体阵列的磁棒的圆周排列方式形成的腔内产生第二静磁场,所述第二静磁场具有恒定梯度,所述第一静磁场和所述第二静磁场形成变梯度静磁场的所述磁体系统结构,所述变梯度静磁场通过改变内环磁体阵列与所述外环磁体阵列的相对角度而改变静磁场梯度的空间取向;所述内环磁体阵列与所述外环磁体阵列由各自的内侧金属骨架和外侧金属骨架安装固定。

4.根据权利要求3所述的一种能够形成变梯度静磁场的磁体系统结构,其特征在于,固定磁体的外壳部分由所述金属骨架和温控部分组成,所述温控部分安装于所述内侧金属骨架和外侧金属骨架之间,用于保证所述内环磁体阵列与所述外环磁体阵列的相对温度不变,由高精度温度传感器和温度调节系统组成,能够有效防止磁体的温度漂移导致的磁场变化;

调节静磁场梯度的空间取向通过旋转每环磁体阵列的外壳实现自由转动,所述外壳下部有固定孔,用于连接磁场调节部分。

5.根据权利要求2所述的一种能够形成变梯度静磁场的磁体系统结构,其特征在于,所述磁场调节部分由底盘和无磁电机组成,底盘为两层环状结构,分别对应内环磁体阵列与所述外环磁体阵列的外壳部分,无磁电机带动底盘转动,所述磁场调节部分由控制器操作,控制器根据指令动作控制无磁电机旋转,从而能够使所述磁体部分之间相互转动。

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