[实用新型]半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵

权利要求书

1.一种半导体激光器制冷结构，其特征在于，包括：

热沉，所述热沉包括相对设置的第一表面与第二表面；

设置于所述第一表面的彼此绝缘的正极导电层以及负极导电层，且所述热沉分别与所述正极导电层和负极导电层绝缘，所述正极导电层用于设置激光芯片且用于与所述激光芯片的正极电连接，所述负极导电层用于与设置于所述正极导电层的激光芯片的负极电连接；

电极连接件，包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部，所述第一端部设置于正极导电层，所述第二端部设置于所述热沉的第二表面，与所述热沉绝缘，所述第一连接部设置于所述热沉上所述正极导电层的非对端。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器制冷结构，其特征在于，所述电极连接件还包括第三端部以及第二连接部，所述第三端部设置于正极导电层，所述第三端部以及所述第一端部在所述第二端部的延伸方向上相对设置，所述第一连接部以及所述第二连接部在所述第二端部的延伸方向上相对设置，所述第一连接部连接所述第一端部以及所述第二端部的一端，所述第二连接部连接所述第三端部以及所述第二端部的另一端。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器制冷结构，其特征在于，所述电极连接件的数量大于或等于1。

4.根据权利要求2所述的半导体激光器制冷结构，其特征在于，所述第一端部与所述第二端部相错设置；或者，

所述第一端部以及所述第三端部均与所述第二端部相错设置。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器制冷结构，其特征在于，所述第二端部设置于所述第二表面与负极导电层对应的区域。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器制冷结构，其特征在于，所述正极导电层与所述负极导电层设置在同一层，所述正极导电层与所述负极导电层之间保持间距，所述正极导电层与所述负极导电层之间为空或者采用绝缘介质阻隔，所述热沉与所述正极导电层以及负极导电层之间设置有第一绝缘层；

或者

所述负极导电层与所述正极导电层设置在不同层，所述正极导电层靠近所述热沉，所述热沉与正极导电层之间设置有第一绝缘层，所述负极导电层与所述正极导电层之间设置有第二绝缘层；

或者

所述负极导电层与所述正极导电层设置在不同层，所述负极导电层靠近所述热沉，所述热沉与负极导电层之间设置有第一绝缘层，所述负极导电层与所述正极导电层之间设置有第二绝缘层。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器制冷结构，其特征在于，所述热沉的第一表面包括第一部分以及第二部分，所述第一部分设置所述正极导电层以及负极导电层，所述第二部分设置有第四绝缘层，所述第四绝缘层的高度高于设置于所述热沉的其他器件的高度。

8.一种半导体激光器，其特征在于，包括激光芯片以及权利要求1至7任一项所述的半导体激光器制冷结构，所述激光芯片设置于所述半导体激光器制冷结构的正极导电层，所述激光芯片的正极与所述正极导电层电连接，所述激光芯片的负极与所述半导体激光器制冷结构的负极导电层电连接。

9.一种半导体激光器叠阵，其特征在于，包括多个权利要求8所述的半导体激光器，多个半导体激光器沿激光芯片在热沉的第一表面以及第二表面的连线方向上依次层叠，并通过电极连接件电性连接。

10.一种电极连接件，其特征在于，应用于权利要求1至7任一项所述的半导体激光器制冷结构，或者权利要求8所述的半导体激光器，或者权利要求9所述的半导体激光器叠阵，所述电极连接件包括第一端部、第二端部以及连接所述第一端部与所述第二端部的第一连接部，所述第一端部以及所述第二端部的延伸方向一致，且与所述第一连接部的延伸方向垂直。