[实用新型]基于MEMS技术的差压流量传感器

权利要求书

1.基于MEMS技术的差压流量传感器，用于低流速流量监测，其特征在于：包括设置于同一外壳（3）的内腔中的MEMS差压传感器芯片封装体（1）及信号处理电路板（2），所述MEMS差压传感器芯片封装体（1）设置于所述信号处理电路板（2）上并与其连接通信，且所述MEMS差压传感器芯片封装体（1）的去向压力导压口（11）与信号处理电路板（2）上的通孔（21）共轴以及与所述外壳（3）上的一个导通孔（31）共轴且四周密封连接，所述MEMS差压传感器芯片封装体（1）的来向压力导压口（12）与外壳（3）上的另一导通孔（31）共轴并四周密封连接；所述MEMS差压传感器芯片封装体（1）及信号处理电路板（2）通过填充所述外壳（3）的内腔的防水密封层（4）密封固定，所述信号处理电路板（2）上连接引出线缆（5），所述引出线缆（5）延伸到所述外壳（3）和防水密封层（4）外。

2.根据权利要求1所述的基于MEMS技术的差压流量传感器，其特征在于：所述MEMS差压传感器芯片封装体（1）包括量程在0-10kPa的硅压阻式差压芯片，其压力应变膜为微米级并采用恒流源或恒压源供电。

3.根据权利要求2所述的基于MEMS技术的差压流量传感器，其特征在于：所述MEMS差压传感器芯片封装体（1）与信号处理电路板（2）通过键合线连接通信，所述键合线的弧高度小于60um，且其包覆于防水胶层（6）中。

4.根据权利要求3所述的基于MEMS技术的差压流量传感器，其特征在于：所述外壳（3）至少包括探测段（33）及连接段（34），所述MEMS差压传感器芯片封装体（1）位于所述探测段（33）所在的内腔区域，所述连接段（34）用于与流体管道（7）密封连接。

5.根据权利要求4所述的基于MEMS技术的差压流量传感器，其特征在于：所述连接段（34）包括一段外螺纹、密封圈（341）及限位凸台（342），所述密封圈（341）位于所述外螺纹的根部并与所述限位凸台（342）的侧壁贴合。

6.根据权利要求4所述的基于MEMS技术的差压流量传感器，其特征在于：所述连接段（34）包括两个位于两个导通孔（31）所在表面上且对称的坡面（343），所述坡面（343）的后端设置有防水密封圈（344），所述防水密封圈（344）抵靠于第一凸台（345）的一侧，所述第一凸台（345）的另一侧与第二凸台（346）配合形成一凹槽（347）。

7.根据权利要求1-6任一所述的基于MEMS技术的差压流量传感器，其特征在于：所述外壳（3）的内壁上设置有支撑台阶（35），所述支撑台阶（35）与一个导通孔的孔壁配合形成用于放置信号处理电路板（2）的支撑面。

8.根据权利要求7所述的基于MEMS技术的差压流量传感器，其特征在于：两个所述导通孔（31）为沉孔或台阶状，其内密封设置有导压膜片（8），所述导压膜片（8）密封的区域内填充有传压介质。

9.根据权利要求8所述的基于MEMS技术的差压流量传感器，其特征在于：所述防水密封层（4）包括第一灌封层（41）和第二灌封层（42），

所述第一灌封层（41）至少填充所述MEMS差压传感器芯片封装体所在的内腔区域；

所述第二灌封层（42）至少填充所述引出线缆（5）和信号处理电路板（2）连接点到第一灌封层（41）之间的内腔区域。

10.根据权利要求9所述的基于MEMS技术的差压流量传感器，其特征在于：所述第一灌封层（41）为纳米复合高分子聚合物材料；所述第二灌封层（42）为硅胶类和/或环氧类胶水。

11.根据权利要求10所述的基于MEMS技术的差压流量传感器，其特征在于：所述第二灌封层（42）包括一次灌封层（421）和二次灌封层（422），所述一次灌封层（421）至少覆盖所述信号处理电路板（2）上的信号放大器件（22）和处理芯片（23），所述二次灌封层（422）至少覆盖整个信号处理电路板（2）。

12.根据权利要求11所述的基于MEMS技术的差压流量传感器，其特征在于：所述基于MEMS技术的差压流量传感器的量程在0.1-30L/min。