[实用新型]一种薄膜晶体管、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

源极、漏极、栅极和有源层；

所述有源层包括源极区、漏极区、沟道区和轻掺杂区，所述沟道区位于所述源极区、漏极区之间，所述源极区通过第一过孔与所述源极相连，所述漏极区通过第二过孔与所述漏极相连，所述栅极与所述有源层的重叠部分为所述沟道区；

靠近所述漏极区的所述栅极沿第一方向延伸；

所述沟道区、所述轻掺杂区以及所述漏极区沿第二方向依次排布，所述第二方向与所述第一方向垂直；

其中，所述漏极区朝向所述沟道区的一侧具有至少一个凹口，且在所述第二方向上，所述凹口的底部与所述轻掺杂区朝向所述沟道区的边缘之间的最大距离大于或等于所述轻掺杂区的长度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹口数量为一个，且所述凹口将所述轻掺杂区分隔为第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，其中，所述第一轻掺杂区同时与所述沟道区和所述漏极区相接。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一轻掺杂区的宽度与所述沟道区的宽度相同，且小于所述漏极区的宽度，所述宽度的方向为所述第一方向。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹口数量为两个，且所述凹口将所述轻掺杂区分隔为第三轻掺杂区、第四轻掺杂区和第五轻掺杂区，其中，沿着靠近所述漏极区的所述栅极的延伸方向上，所述第三轻掺杂区位于所述第四轻掺杂区和第五轻掺杂区之间，且所述第三轻掺杂区同时与所述沟道区和所述漏极区相接。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第三轻掺杂区的宽度与所述沟道区的宽度相同，且小于所述漏极区的宽度，所述宽度的方向为所述第一方向。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹口在垂直于靠近所述漏极区的所述栅极的延伸方向上的最大深度大于或等于1μm。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹口为矩形。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹口为锥形，且所述锥形开口朝向所述栅极。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。