[实用新型]雷射剥离膜结构

说明书

本实用新型提供一种雷射剥离膜结构，其依序包含一第一离形片、一雷射剥离层、一黏着层及一第二离形片。本实用新型之雷射剥离膜结构可直接贴附晶圆及基板，进行晶圆薄化，减化晶圆封装的步骤，缩短晶圆制程周期，且减少对晶圆之损害。

技术领域

本实用新型涉及一种雷射剥离膜，特别是一种晶圆封装级可使用之雷射剥离膜。

本实用新型还涉及贴合上述雷射剥离膜结构之晶圆。

背景技术

随科技的发展，电子商品的需求日趋轻薄方便，其内部的集成电路也须同步地轻薄化。三维的集成电路系由直通系晶钻孔在晶圆上钻孔，将导线材料填入钻孔中以形成导电的通路后，将晶圆薄化后并形成堆栈结构所完成。由于晶圆薄化后已非常脆弱，又须经过钻孔的过程，因此如何能够在自动化生产过程中，减少晶圆发生缺陷的情况则为一大挑战。

近年，晶圆制程导入晶圆暂时贴合及雷射剥离之技术，晶圆暂时性贴合技术主要系将晶圆暂时性贴合在基板上，利用基板支撑晶圆，以协助抵抗晶圆在薄化时的机械冲力，以及后续的加工作业机械冲力。雷射剥离技术系在基板及晶圆之间设有一雷射剥离层，利用光及雷射剥离层材料之间的交互作用，照射适当的雷射光于晶圆结构后，该雷射剥离层的材料会因化性改变而自然剥离，因此在不施加外力的情况下便能将基板与晶圆分开，即减少对晶圆的损害。

一般雷射剥离技术的操作会先涂覆制备出一黏着层于一晶圆之上，另额外覆制备出一雷射剥离层于一基板之上，随后将该黏着层与该雷射剥离层贴合后，以进行晶圆薄化，经照射雷射光后，该雷射剥离层会离化而能将基板剥离。

实用新型内容

然而，一般雷射剥离技术中，经由涂覆制备出晶圆堆栈层(上述之黏着层、雷射剥离层等)往往会有制程时间过长，延长制程周期的问题，另外，由于黏着层及雷射剥离层系分别涂覆所完成，因此接合时会有附着不佳的问题发生。

为了克服上述问题，本实用新型提供一种雷射剥离膜结构，其依序包含一第一离形片、一雷射剥离层、一黏着层及一第二离形片。

于较佳的实施例中，所述雷射剥离层为包含丙烯酸酯及近红外光感光染料的膜层结构。

于较佳的实施例中，所述雷射剥离层之厚度为5um～0.5um。

于较佳的实施例中，所述雷射剥离层之厚度为4.5um,或为1.5um,或为0.7um。

于较佳的实施例中，所述黏着层为包含至少一种选自由热固性树脂、热塑性树脂或能量射线固化树脂的群组层。

于较佳的实施例中，所述黏着层的厚度为65um～5um。

于较佳的实施例中，所述黏着层的厚度为为60um,或为20um,或为10um。

于较佳的实施例中，所述黏着层及雷射剥离层系经由预切割形成所预形状。

本实用新型的另一个目的在于提供一种贴合雷射剥离膜结构之晶圆，其包含如请求项1之雷射剥离膜结构，其中第一离形片及该第二离形片剥离后，以该黏着层与一晶圆黏着，形成依序包含该雷射剥离层、该黏着层及该晶圆之结构。

于较佳的实施例中，所述雷射剥离层系暂时黏着于一基板上。

于较佳的实施例中，所述雷射剥离膜结构为经近红外雷射光照射后其雷射剥离层会劣化可剥离的膜层结构。

本实用新型提供一种雷射剥离膜结构不同于一般雷射剥离技术，其可直接将第一及第二离形片剥离后，分别贴附基板及晶圆，将晶圆薄化经雷射照射后，将基板剥离，减少制程时间。相较于一般雷射剥离技术具有更佳的便利性，在操作上更为简易，加速晶圆制程。

附图说明

图1为本实用新型之雷射剥离膜结构。