[实用新型]多组分涂层和具有多组分涂层的半导体工艺腔室部件

权利要求书

1.一种被涂布的半导体工艺腔室部件，包括；

具有表面的半导体工艺腔室部件；以及

被涂布在所述表面上的多组分涂层，所述多组分涂层包括：

使用原子层沉积工艺涂布到所述表面上的氧化钇或氟化钇的至少一个第一膜层；以及

使用原子层沉积工艺涂布到所述表面上的额外氧化物或额外氟化物的至少一个第二膜层。

2.如权利要求1所述的被涂布的半导体工艺腔室部件，其中所述多组分涂层进一步包括至少一个额外膜层，所述至少一个额外膜层包括使用原子层沉积工艺涂布到所述表面上的氧化铝或氧化锆。

3.如权利要求1所述的被涂布的半导体工艺腔室部件，其中所述多组分涂层包括所述至少一个第一膜层和所述至少一个第二膜层的互相扩散的固态相。

4.如权利要求1所述的被涂布的半导体工艺腔室部件，其中所述多组分涂层包括所述至少一个第一膜层和所述至少一个第二膜层的交替的完整的层。

5.一种用于半导体工艺腔室部件的表面的多组分涂层，包括：

使用原子层沉积工艺涂布到所述半导体工艺腔室部件的所述表面上的氧化钇或氟化钇的至少一个第一膜层；以及

使用原子层沉积工艺涂布到所述半导体工艺腔室部件的所述表面上的额外氧化物或额外氟化物的至少一个第二膜层。

6.如权利要求5所述的多组分涂层，其中所述至少一个第一膜层包括第一连续单层，以及其中所述至少一个第二膜层包括第二连续单层。

7.如权利要求5所述的多组分涂层，其中所述至少一个第一膜层包括具有多达1微米的均匀厚度的第一厚层，以及其中所述至少一个第二膜层包括具有所述均匀厚度的第二厚层。