[实用新型]用于基板处理腔室的盖体以及处理腔室

说明书

本公开内容涉及一种用于基板处理腔室的盖体及一种处理腔室。本公开内容的实施方式包括用于降低处理腔室内的颗粒产生的方法和设备。在一个实施方式中，本实用新型提供一种用于基板处理腔室的盖体。盖体包括：盖构件，所述盖构件具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；通过所述盖构件的中央开口，其中所述中央开口的内轮廓包括具有第一直径的第一段、具有第二直径的第二段和具有第三直径的第三段，其中第二直径是在第一直径和第三直径之间，且第一直径从第二段朝向盖构件第一表面增加；和沟槽，所述沟槽沿着第一表面中的封闭路径形成且具有形成在沟槽的内表面中的凹槽。

技术领域

本公开内容的实施方式通常涉及半导体处理系统。更具体地说，本公开内容的实施方式涉及用于在半导体处理系统中使用的盖体。

背景技术

集成电路已发展成可在单个芯片上包括几百万个部件(例如，晶体管、电容器和电阻器)的复杂装置。芯片设计的发展持续需要更快的电路和更大的电路密度。对于更大电路密度的要求迫使集成电路部件的尺寸减小。

随着集成电路部件的尺寸减小(例如，减小至亚微米尺寸)，降低污染物存在的重要性已增加，因为此种污染物可能在半导体制造工艺期间导致缺陷形成。例如，在蚀刻工艺中，例如可能在蚀刻工艺期间产生的聚合体的副产物可能变成污染在半导体基板上形成的集成电路和结构的微粒来源。

在半导体材料处理领域中，例如为了在基板上蚀刻和化学气相沉积(chemicalvapor deposition；CVD)各种材料，使用了包括真空处理腔室的半导体材料处理装置。所述工艺的一些工艺在所述处理腔室中使用腐蚀性和侵蚀性工艺气体和等离子体，诸如氢等离子体。需要最小化在所述处理腔室中处理的基板的颗粒污染。还需要当装置暴露于所述气体和等离子体时抗化学侵蚀的所述装置的等离子体暴露部件。

实用新型内容

本公开内容的实施方式包括用于降低处理腔室内的颗粒产生的方法和设备。在一个实施方式中，本实用新型提供一种用于基板处理腔室的盖体。盖体包括：盖构件，所述盖构件具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；通过所述盖构件的中央开口，其中所述中央开口的内轮廓包括具有第一直径的第一段、具有第二直径的第二段和具有第三直径的第三段，其中第二直径是在第一直径和第三直径之间，且第一直径从第二段朝向盖构件第一表面增加；和沟槽，所述沟槽沿着第一表面中的封闭路径形成且具有形成在沟槽的内表面中的凹槽。

在另一个实施方式中，提供一种处理腔室。处理腔室包括主体、设置在主体内的基板支撑组件，和覆盖所述主体的盖体。盖体包括：板，所述板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；通过所述板的中央开口，其所述中央开口具有朝向第一表面增加的内径；和沟槽，所述沟槽形成在所述第一表面中。处理腔室还包括气体耦合嵌件(gascoupling insert)，所述气体耦合嵌件设置在中央开口内且具有经成形以匹配中央开口的内径的渐缩形(tapered)凸缘。

在又另一个实施方式中，提供了一种用于降低处理腔室内的颗粒产生的方法。所述方法包括：提供腔室盖体，所述腔室盖体具有顶表面和平行于所述顶表面的底表面，其中腔室盖体具有中央开口，且所述中央开口的上部具有朝向顶表面逐渐增加的内径；喷砂处理(bead blasting)腔室盖体的底表面；在腔室盖体的底表面上沉积涂层，其中所述涂层包含含氧化钇的陶瓷或含钇氧化物；在中央开口内设置间隔环，其中所述间隔环具有被成形以匹配中央开口的内径的外表面；和在间隔环上设置气体耦合嵌件，其中所述气体耦合嵌件是圆柱形中空主体，所述圆柱形中空主体具有形成在气体耦合嵌件底部中的多个轴向通孔，且所述气体耦合嵌件具有从圆柱形中空主体的外表面向外延伸的圆锥形(conical)凸缘，且其中所述圆锥形凸缘被成形以匹配中央开口的内径。

一种用于基板处理腔室的盖体，包含：

盖构件，所述盖构件具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；