[实用新型]发光二极管交流驱动电路有效
申请号: | 201720464722.1 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN206879140U | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 李欣;任留涛;李菲 | 申请(专利权)人: | 上海超致半导体科技有限公司 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)31297 | 代理人: | 赵朋晓 |
地址: | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 交流 驱动 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及发光二极管驱动技术领域,特别是一种发光二极管交流驱动电路。
背景技术
传统的发光二极管驱动电路无法控制流经发光二极管的电流大小,因此发光二极管容易被不稳定的电流损坏,影响其使用寿命。此外,由于发光二极管的亮度与流经其上的电流大小相关,若是电流不稳定,会使发光二极管的亮度也不稳定,影响其发光质量。
实用新型内容
基于此,针对上述问题,有必要提出一种发光二极管交流驱动电路。
本实用新型的技术方案是:一种发光二极管交流驱动电路,包括变压器T、整流桥D、三端稳压器IC、场效应管Q和发光二极管LED;所述变压器T的两输入端接220V交流电源,所述变压器T的两输出端之间接整流桥D;所述整流桥D的输出端分别连接电容C1的正极、三端稳压器IC的电压输入端和场效应管Q的源极;所述三端稳压器IC的电压输出端分别连接电阻R的第一端、电容C3的正极和场效应管Q的栅极;所述三端稳压器IC的电压调节端分别连接电容C2的正极、电位器RP的第一端和电阻R的第二端;所述电位器RP的第二端和电位器RP的滑片连接后接地;所述场效应管Q的漏极连接发光二极管LED的正极;所述发光二极管LED的负极、整流桥D的输入端、电容C1的负极、电容C2的负极和电容C3的负极均接地。
优选地,所述三端稳压器IC的型号为LM317。
优选地,所述场效应管Q为超结金属氧化物半导体场效应晶体管。
本实用新型利用三端稳压器产生稳定的电压驱动场效应管,通过场效应管控制发光二极管,场效应管输入阻抗高,耦合电容小,可以很方便的作为发光二极管的恒流源。
而且,超结金属氧化物半导体场效应晶体管具有通态电阻低的特点,对流经发光二极管的电流影响小,几乎可以忽略。
本实用新型的有益效果是:
1、电路结构简单,通过三端稳压器产生稳定的电压驱动场效应管来控制发光二极管,使得流经发光二极管的电流稳定,延长了发光二极管的使用寿命;
2、超结金属氧化物半导体场效应晶体管具有通态电阻低的特点,对流经发光二极管的电流影响小,使发光二极管发光稳定。
附图说明
图1为本实用新型实施例的电路原理示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。
实施例
如图1所示,一种发光二极管交流驱动电路,包括变压器T、整流桥D、三端稳压器IC、场效应管Q和发光二极管LED;所述变压器T的两输入端接220V交流电源,所述变压器T的两输出端之间接整流桥D;所述整流桥D的输出端分别连接电容C1的正极、三端稳压器IC的电压输入端和场效应管Q的源极;所述三端稳压器IC的电压输出端分别连接电阻R的第一端、电容C3的正极和场效应管Q的栅极;所述三端稳压器IC的电压调节端分别连接电容C2的正极、电位器RP的第一端和电阻R的第二端;所述电位器RP的第二端和电位器RP的滑片连接后接地;所述场效应管Q的漏极连接发光二极管LED的正极;所述发光二极管LED的负极、整流桥D的输入端、电容C1的负极、电容C2的负极和电容C3的负极均接地。
AC220V电源经过变压整流后输入三端稳压器IC,三端稳压器IC输出稳定的导通电压至场效应管Q的栅极,使场效应管Q导通以驱动发光二极管LED,通过调节电位器RP即可改变场效应管Q的栅极电压,从而控制场效应管Q的导通、截止,以此来控制发光二极管的发光或熄灭。
在其中一个实施例中,所述三端稳压器IC的型号为LM317。LM317是应用最为广泛的电源集成电路之一,它不仅具有固定式三端稳压电路的最简单形式,又具备输出电压可调的特点。此外,还具有调压范围宽、稳压性能好、噪声低、纹波抑制比高等优点。LM317是可调节三端正电压稳压器,在输出电压范围1.2伏到37伏时能够提供超过1.5安的电流,此稳压器非常易于使用。
在其中一个实施例中,所述场效应管Q为超结金属氧化物半导体场效应晶体管。超结金属氧化物半导体场效应晶体管输入阻抗高,耦合电容小,可以很方便的作为发光二极管的恒流源,且其具有通态电阻低的特点,对流经发光二极管的电流影响小,几乎可以忽略。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的具体实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。
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