[实用新型]改良型低功率超结金属栅场效应晶体管

权利要求书

1.一种改良型低功率超结金属栅场效应晶体管，其特征在于，包括N⁺衬底层和至少二个设于N⁺衬底层顶面上的N^-耐压漂移层；所述N^-耐压漂移层的底部两侧设有P^-电荷补偿区，所述N^-耐压漂移层的顶部设有包裹该N^-耐压漂移层的肖特基二极管，所述N^-耐压漂移层的顶面设有栅极沟槽、源极P⁺体区和漏极P⁺体区，所述栅极沟槽延伸至N^-耐压漂移层内，所述源极P⁺体区和漏极P⁺体区分别设于栅极沟槽的两侧，所述源极P⁺体区的顶面上设有N⁺源区，所述漏极P⁺体区的顶面上设有N⁺漏区；所述肖特基二极管的底面与所述P^-电荷补偿区的顶面接触，所述肖特基二极管的底面低于栅极沟槽的底面；所述栅极沟槽中设有高于该栅极沟槽的多晶硅填充沟槽，所述栅极沟槽与多晶硅填充沟槽之间设有氧化层，所述多晶硅填充沟槽高于该栅极沟槽的部分包裹有介电层，所述氧化层和介电层形成包裹多晶硅填充沟槽的密封层；所述多晶硅填充沟槽低于栅极沟槽的部分的宽度，大于多晶硅填充沟槽高于栅极沟槽的部分的宽度；所述多晶硅填充沟槽内设有向其顶部延伸的栅电极；所述栅电极中至少有一个栅电极的顶端设于肖特基二极管内，所述栅电极中至少有一个栅电极的顶端外露于肖特基二极管。

2.根据权利要求1所述改良型低功率超结金属栅场效应晶体管，其特征在于，所述肖特基二极管和与其对应的N⁺源区共用金属电极。

3.根据权利要求1或2所述改良型低功率超结金属栅场效应晶体管，其特征在于，该改良型低功率超结金属栅场效应晶体管的源极采用对接式接触孔结构，所述对接式接触孔的结构是N⁺源区和源极P⁺体区紧靠在一起，金属孔跨在N⁺源区和源极P⁺体区的交接处，金属孔长度为普通孔的两倍。