[实用新型]超结金属栅场效应晶体管封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，特别是一种超结金属栅场效应晶体管封装结构。

背景技术

随着电子产品的发展，例如笔记本电脑、手机、迷你CD、掌上电脑、CPU、数码照相机等消费类电子产品越来越向小型化方向发展。随着产品的做小做薄，IC中的数百万个晶体管所产生的热量如何散发出去就变为一个不得不考虑的问题。现有技术中，虽然可以通过提升工IC制程能力来降低电压等方式来减小发热量，但是仍然不能避免发热密度增加的趋势。散热问题不解决，会使得工器件因过热而影响到产品的可靠性，严重地会缩短产品寿命甚至造成产品损毁。

实用新型内容

基于此，针对上述问题，有必要提出一种超结金属栅场效应晶体管封装结构，该超结金属栅场效应晶体管封装结构的封装结构工艺简单，可进行芯片级加工，效率高，周期短，良率高，封装的体积比较小，具有非常低的漏源接通电阻、优异电性能和很好的散热性能。

本实用新型的技术方案是：一种超结金属栅场效应晶体管封装结构，包括超结MOSFET芯片、底载板、源极导电基板、栅极导电焊板和漏极导电焊板；所述超结MOSFET芯片的底部设有所述底载板，所述底载板上内嵌有与所述超结MOSFET芯片对应的底载板散热区，所述底载板散热区的底部外露于所述底载板，所述超结MOSFET芯片的顶部设有源极、栅极和漏极，所述源极、栅极和漏极上均设有对应的导电凸点，所述源极的导电凸点高于所述栅极的导电凸点和所述漏极的导电凸点；所述源极导电基板包括基板引脚区和导电基板散热区，所述基板引脚区设于所述源极的导电凸点的顶部，且所述基板引脚区与所述源极的导电凸点电连接，所述基板引脚区设有向所述底载板靠近的弯折部，所述导电基板散热区设于所述栅极的导电凸点和所述漏极的导电凸点的上方；所述超结MOSFET芯片靠近所述漏极的一端设有所述栅极导电焊板和漏极导电焊板，所述栅极导电焊板包括栅极焊接区和栅极引脚区，所述栅极焊接区和栅极引脚区的连接处设有弯折部，所述栅极的导电凸点和所述栅极焊接区通过栅极金属线连接，所述漏极导电焊板包括漏极焊接区和漏极引脚区，所述漏极焊接区和漏极引脚区的连接处设有弯折部，所述漏极的导电凸点和所述漏极焊接区通过漏极金属线连接；所述底载板的顶部设有环绕所述超结MOSFET芯片的屏蔽层，所述屏蔽层、所述源极导电基板、所述底载板形成封闭空间，所述封闭空间的空隙处填充有环氧树脂。

优选地，所述导电凸点包括单一结构或多层结构，成分包括单一金属或金属合金。

优选地，所述底载板为基板、PCB板或者金属框架。

优选地，所述底载板的顶面设有绝缘保护层。

本实用新型的有益效果是：

1、采用在源极、栅极和漏极上设置导电凸点后，再通过导电凸点焊接引脚，避免了焊接对源极、栅极和漏极造成的破坏，保护了超结MOSFET芯片，提高了良品率，从而节约了成本；

2、超结MOSFET芯片的底部和顶部均设置了散热材料，且内部空隙也填充散热材料，大大增强了器件的散热能力，提高器件的安全性和使用寿命；

3、屏蔽层环绕整个器件，只有引脚部分外露，增加了器件的抗干扰能力；

4、导电基盘同时兼备了现有技术中导电焊盘、散热片和基岛三个部件功能，既有利于进一步缩小器件的体积，也减少器件中部件的数目，同时由于散热区和基盘引脚区为一个整体，提高了电性能的稳定性；

5、栅极导电焊板和漏极导电焊板的焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部，从而使得焊接区高于引脚区，并保证了栅极导电焊板和漏极导电焊板的焊接区与超结MOSFET芯片的栅极和漏极在同一水平面，从而有效避免了由于连接栅极和漏极的金属线较细在使用中容易断的技术缺陷，延长了产品的使用寿命并提高了可靠性。

附图说明

图1为本实用新型实施例的结构示意图；

图2为本实用新型实施例的俯视图；

图3为本实用新型实施例中去除顶载板后的内部结构示意图；

附图标记：10-超结MOSFET芯片，11-源极，12-栅极，13-漏极，20-导电凸点，30-源极导电基板，31-基板引脚区，32-导电基板散热区，40-栅极导电焊板，41-栅极引脚区，42-栅极金属线，50-漏极导电焊板，51-漏极引脚区，52-漏极金属线，60-底载板，70-底载板散热区，80-屏蔽层，90-环氧树脂。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。

实施例