[实用新型]一种双降‑升压电路

权利要求书

1.一种双降-升压电路，其特征在于，包括主开关管、第一降压-升压BUCK-BOOST续流支路和第二BUCK-BOOST续流支路；

所述主开关管、所述第一BUCK-BOOST续流支路和所述第二BUCK-BOOST续流支路依次串联连接在正输入端和负输入端之间；所述第一BUCK-BOOST续流支路还与第一输出端连接，所述第二BUCK-BOOST续流支路还与第二输出端连接；

所述第一BUCK-BOOST续流支路包括第一电感，所述第二BUCK-BOOST续流支路包括第二电感；所述主开关管、所述第一电感和所述第二电感依次串联连接在所述正输入端和所述负输入端之间。

2.如权利要求1所述的双降-升压电路，其特征在于，所述第一电感和所述第二电感相互耦合构成耦合变压器。

3.如权利要求2所述的双降-升压电路，其特征在于，所述第一BUCK-BOOST续流支路还包括第一续流二极管组件和第一电容组件；

所述主开关管的第一端连接到所述正输入端，所述第一续流二极管组件的负极连接到所述主开关管的第二端，且所述第一续流二极管的正极经由所述第一电容组件连接到支路节点，所述支路节点为所述第一电感和所述第二电感的连接点；所述第一电容组件的两端构成所述第一输出端。

4.如权利要求2所述的双降-升压电路，其特征在于，所述第二BUCK续流支路还包括第二续流二极管组件和第二电容组件；

所述第二续流二极管组件的正极连接到所述负输入端，且所述第二续流二极管组件的负极经由所述第二电容组件连接到支路节点，所述支路节点为所述第一电感和所述第二电感的连接点；所述第二电容组件的两端构成所述第二输出端。

5.如权利要求3所述的双降-升压电路，其特征在于，所述第一续流二极管组件包括一个续流二极管或多个并联的续流二极管；所述第一电容组件包括一个电容或多个并联的电容。

6.如权利要求4所述的双降-升压电路，其特征在于，所述第二续流二极管组件包括一个续流二极管或多个并联的续流二极管；所述第二电容组件包括一个电容或多个并联的电容。

7.如权利要求1所述的双降-升压电路，其特征在于，所述主开关管为以下任意之一的半导体器件：

金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、三极管、绝缘栅双极型晶体管IGBT。

8.如权利要求1所述的双降-升压电路，其特征在于，所述第一电感与所述第二电感的匝数比为1:1。