[实用新型]一种烘干装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及光刻胶烘干设备技术领域，尤其涉及一种烘干装置。

背景技术

在TFT(Thin Film Transistor薄膜晶体管)光刻工艺中(4次光刻工艺)，玻璃基板(Glass)在涂胶之后、曝光之前有两个重要的工艺：真空干燥(DP)和预烘(Prebake)。预烘主要是通过烘焙使光刻胶中的溶剂蒸发并使其固化，烘焙后的光刻胶仍然保持“软”状态，但和玻璃基板的粘结更加牢固。

目前，预烘通常是采用腔体式(chamber)烘干，如图1和图2所示，现有的一种烘干装置，包括烘箱01和箱盖02，烘箱01上开设有开口011，待烘干物(可以为涂有光刻胶层的玻璃基板)可通过开口011放置于烘箱01内，箱盖02可盖合在烘箱01位于开口011处的端面012上，靠近箱盖02的四角的上方设有四个气缸03，四个气缸03可对箱盖02施加向下的压力。

为了保证密封性，箱盖02的面积设计的要比烘箱01的开口011要大，当开口011盖上箱盖02时，总有一部分箱盖02位于端面012外。现有的光刻胶预烘装置中四个气缸03对箱盖02的施力点(图2中涂黑的区域)是位于端面012外的箱盖02区域，如图3所示，这样当四个气缸03对箱盖02施加向下的作用力压紧箱盖02时，由于箱盖02的受压部位悬空，因此，开口011左右两侧边沿相当于支点(支点处受到向上的力F₁或斜上方的力F₂)，箱盖02在压力的作用下很容易发生弯曲变形，箱盖02的中间部位拱起，使箱盖02与端面012之间产生缝隙，从而导致烘箱01的密封不严。

由于箱盖02与端面012出现了密封不严，那么，在光刻胶烘干的过程中，烘箱01内的温度就会出现不均匀，即烘箱01内靠近开口011边沿的温度较低，这样玻璃基板靠近四周的部位与靠近中心的部位的光刻胶溶剂挥发速度不一致，即玻璃基板靠近四周的部位温度相对较低，光刻胶内的溶剂挥发地较慢，光刻胶相对较软；玻璃基板靠近中心的部位温度相对较高，光刻胶内的溶剂挥发地较快，光刻胶相对较硬。由于光刻胶层的软硬不均匀，那么在预烘的后续工序曝光、显影中，较软的光刻胶容易被刻蚀掉，较硬的光刻胶不容易被刻蚀掉，这样造成玻璃基板上靠近四周的部位的光刻胶较薄，靠近中心的部位的光刻胶较厚(如图4所示，从图中可以看出，光刻胶的厚度最低点在玻璃基板靠近四周部分为696A)，这样导致光刻胶的厚度均一性不合格(Halftone Thickness&CD uniformity NG)，尤其是TFT沟槽(channel)部位，TFT沟槽靠近四周的部位的光刻胶较薄，不能够对光刻胶下层结构进行保护，那么在后续的干湿刻蚀工艺中，很容易刻穿TFT沟槽的底部，即TFT沟槽开放(channel open)不良，最终会导致产品不合格。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种烘干装置，能够避免箱盖发生拱起变形，提高箱盖与烘箱之间的密封性，进而提高光刻胶厚度的均一性。

为达到上述目的，本实用新型的实施例提供了一种烘干装置，包括烘箱和箱盖，所述烘箱上开设有开口，所述箱盖可盖合在所述烘箱位于所述开口处的端面上，其特征在于，还包括压紧机构，所述压紧机构包括压头，所述压头与所述端面的位置相对，所述压紧机构可通过所述压头向所述箱盖施加压力。

进一步地，所述压紧机构还包括与所述压头相连接的伸缩机构，所述伸缩机构通过伸缩可调节所述压头对所述箱盖的压力的大小。

更进一步地，还包括固定架，所述伸缩机构为气缸，所述气缸包括缸体和活塞杆，所述缸体固定于所述固定架上，所述活塞杆与所述压头相连接，所述活塞杆伸出时可带动所述压头压紧所述箱盖。

优选地，所述压头的数目为多个，所述端面为多个边沿首尾相接构成的面，每个所述边沿对应多个所述压头。

更进一步地，所述端面为多个边沿首尾相接构成的面，每个所述边沿对应至少一个所述压头，所述气缸的数目为多个，每个所述气缸的活塞杆均通过连接件分别与每个所述边沿相对应的所述压头相连接。

更进一步地，所述端面为四个边沿首尾相接构成的回形面，所述气缸的数目为四个，四个所述气缸中的两个对称设置于第一平面的两侧，所述第一平面垂直于所述端面，并且经过所述端面长度方向上的中心线；四个所述气缸中的另外两个对称设置于第二平面的两侧，所述第二平面垂直于所述端面，并且经过所述端面宽度方向上的中心线。

更进一步地，与每一所述边沿对应的多个所述压头沿该边沿的延伸方向间隔设置。