[实用新型]一种辅助电源电路

权利要求书

1.一种辅助电源电路，包括功率变压器、启动源、辅助源和控制单元，所述启动源输入端连接功率变压器的输入侧高压直流电源，所述启动源的输出端分别连接功率变压器和控制单元；所述辅助源的输入端通过辅助绕组连接功率变压器获得耦合电压，所述辅助源的输出端分别连接功率变压器和控制单元，其特征在于，所述功率变压器的输出侧连接线性稳压电路后连接辅助源的输入端；

所述线性稳压电路包括电阻R1、稳压二极管Z1和N沟道增强型MOSFET管Q1；稳压二极管Z1的正极连接功率变压器输出侧电压的负极，稳压二极管Z1的负极连接电阻R1后连接功率变压器输出侧电压的正极；稳压二极管Z1的负极连接N沟道增强型MOSFET管Q1的栅极，N沟道增强型MOSFET管Q1的漏极连接功率变压器输出侧电压的正极，N沟道增强型MOSFET管Q1的源极作为线性稳压电路的输出端连接辅助源的输入端。

2.根据权利要求1所述的辅助电源电路，其特征在于，所述辅助绕组的输出端连接所述线性稳压电路的输出端形成连接节点，所述连接节点与辅助源之间连接时序控制电路。

3.根据权利要求1所述的辅助电源电路，其特征在于，所述辅助绕组连接隔离二极管D2的正极，隔离二极管D2的负极连接辅助电源输入端；N沟道增强型MOSFET管Q1的源极连接隔离二极管D4的正极，隔离二极管D4的负极连接辅助电源输入端，隔离二极管D4的负极连接隔离二极管D2的负极形成连接节点。

4.根据权利要求2所述的辅助电源电路，其特征在于，所述时序控制电路包括N沟道增强型MOSFET管Q4、NPN型三极管Q2、电容C2、电容C3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8；

辅助绕组的输出端正向连接二极管D6后连接线性稳压电路的输出端；辅助绕组的输出端与二极管D6正极的连接节点依次连接电阻R7和电阻R8后接地，电阻R8两端并联电容C3；线性稳压电路的输出端与二极管D6的连接节点依次连接电阻R5和电阻R6后接地；电阻R7和电阻R8的中间节点连接N沟道增强型MOSFET管Q4的栅极，电阻R5和电阻R6的中间节点连接N沟道增强型MOSFET管Q4的漏极，N沟道增强型MOSFET管Q4的漏极通过电容C2后接地，N沟道增强型MOSFET管Q4的源极接地；电阻R5和电阻R6的中间节点还连接NPN三极管Q2的基极，NPN三极管Q2的集电极通过电阻R4连接线性稳压电路的输出端，NPN三极管Q2的发射极接地，NPN三极管Q2的集电极连接辅助电源的第一输入端，线性稳压电路的输出端与二极管D6的连接节点连接辅助电源的第二输入端。

5.根据权利要求4所述的辅助电源电路，其特征在于，所述辅助电源包括NPN三极管Q3、稳压二极管D5、电容C1、电阻R2和电阻R3；

所述线性稳压电路的输出端与二极管D6的连接节点连接电阻R3后连接稳压二极管D5的负极，稳压二极管D5的正极接地；电阻R3与稳压二极管D5负极的连接节点同时连接NPN三极管Q2的集电极和NPN三极管Q3的基极；NPN三极管Q3的发射极连接电容C1后接地，NPN三极管Q3的集电极通过电阻R2后连接线性稳压电路的输出端与二极管D6的连接节点；NPN三极管Q3的发射极作为辅助源的输出端进行电压输出。