[实用新型]一种电磁屏蔽织物的制备装置有效
申请号: | 201720480127.7 | 申请日: | 2017-05-03 |
公开(公告)号: | CN206902456U | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 刘夕岩;刘波;刘华 | 申请(专利权)人: | 湖南深泰虹科技有限公司 |
主分类号: | D06M11/83 | 分类号: | D06M11/83;C23C18/42;C23C14/32 |
代理公司: | 常德市长城专利事务所(普通合伙)43204 | 代理人: | 张启炎 |
地址: | 415501 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电磁 屏蔽 织物 制备 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种等离子体真空镀膜装置,具体地说是一种电磁屏蔽织物的制备装置。
背景技术
电磁波引起的电磁干扰 (EMI) 与电磁兼容 (EMC) 问题不仅会干扰电气设备,也会对人体健康带来严重的威胁,导电织物作为一种优良的电磁屏蔽材料广泛应用于航天航空、电子通讯、医疗器械等各个领域,目前大规模工业生产线主要采用传统电镀,传统化学镀,少量采用磁控溅射镀膜;磁控溅射因为比较精密,不利于大型工业化生产,且镀膜比较薄,不能满足电磁屏蔽60DB甚至更高的要求,并且镀膜成分还有较多的杂质;传统的电镀需要消耗很大的电能,环境污染严重,且工艺控制和对形状复杂的织物处理比较困难;传统的化学镀工艺流程虽然可以满足工艺稳定、设备简单、且屏蔽效能高的要求,但是由于工艺过程中需先去油后粗化,先去油再粗化增加了废液对环境,不经济;且以钯做活化中心,但是钯是重金属,价格极其昂贵,且回收困难,在工艺控制中活化解胶也比较困难。
发明内容
这种电磁屏蔽织物的制备方法,包括下述步骤 : (1) 织物前处理 :将织物放入氢氧化钠水溶液中于 80-100℃进行粗化去油处理 ; (2) 氢气等离子金属镀银 :将步骤 (1) 中粗化去油处理后的织物浸轧硝酸银 - 聚乙烯醇 (PVA) 络合混合液并干燥或晾干,然后采用氢气等离子体将浸轧在织物上的硝酸银置换成银单质金属层。
本实用新型的目的就是提供一种电磁屏蔽织物的制备装置。
这种电磁屏蔽织物的制备装置,其特征在于,包括粗化、去油、洗碱槽、第一烘干箱、硝酸银浸泡池、第二烘干箱和氢气等离子镀装置。
粗化、去油、洗碱槽包括一个立方的槽体,槽体上部两侧安装有放布辊和收布辊,槽体中的碱性液面下部两侧各安装有一个工作辊,两个工作辊之间的布料上下各安装有一个毛刷辊,在放布辊、收布辊和工作辊之间还安装有张紧辊,收布辊、毛刷辊都和驱动电机相连,毛刷辊和布料接触处的运动方向和布料的运动方向相反,槽体底部安装有加热器,槽体一侧有放水管,槽体另一侧有进水管。
当布料浸润在碱性液体中,开启加热器,使碱液温度达70°C,通过毛刷辊的转动将布料去油并粗化。去油、粗化后排出碱液,关闭加热器,将布料放入清水通过毛刷辊的转动即可将布料中的碱液清洗干净。
第一烘干箱合第二烘干箱的结构相同,包括一个支架,支架上部两侧安装有放布辊和收布辊,放布辊和收布辊之间的布料上下各安装有一个加热罩,加热罩内安装有加热烘干器,收布辊和驱动电机相连。
氢气等离子镀装置包括一个金属的箱体,箱体一侧有排气管和真空泵相连,箱体另一侧有箱门,箱体内底部有导轨,导轨上放置有小车,小车上安装有一对放布辊和收布辊,放布辊和收布辊之间是布料,箱体上方有进氢气管,进氢气管和匀气室相通,匀气室上部有电加热器,匀气室下部为上电极板,上电极板上均匀的布置有出气孔,出气孔下部是布料,布料下部紧贴下电极板,布料和出气孔之间为等离子体辉光区。
本实用新型结构简单,通过粗化、去油、洗碱槽、第一烘干箱、硝酸银浸泡池、第二烘干箱和氢气等离子镀装置。能够在布料上实现稳定、高效和无污染的真空镀银。在氢气等离子镀装置中生成的反应副产物或反应残留物通过真空泵等排出。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图。
图中:1、粗化、去油、洗碱槽,2、第一烘干箱,3、硝酸银浸泡池,4、第二烘干箱,5、氢气等离子镀装置,6、槽体,7、放布辊,8、收布辊,9、碱性液面,10、工作辊,11、布料,12、毛刷辊,13、张紧辊,14、加热器,15、放水管,16、进水管,17、支架,18、加热烘干器,19、箱体,20、真空泵,21、箱门,22、导轨,23、小车,24、进氢气管,25、匀气室,26、电加热器,27、上电极板,28、出气孔,29、下电极板,30、等离子体辉光区。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型详细说明如下:
如图1所示,这种电磁屏蔽织物的制备装置,包括粗化、去油、洗碱槽1、第一烘干箱2、硝酸银浸泡池3、第二烘干箱4和氢气等离子镀装置5。
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D06M11-32 .用氧、臭氧、臭氧化物、氧化物、氢氧化物或过化合物;从具有两性元素—氧键的阴离子衍生的盐
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