[实用新型]温度控制装置和半导体激光器有效
申请号: | 201720486332.4 | 申请日: | 2017-05-03 |
公开(公告)号: | CN206962241U | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 钟绪浪;朱宝华;陆业钊;罗又辉;王瑾;高云峰 | 申请(专利权)人: | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 唐利 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 控制 装置 半导体激光器 | ||
1.一种温度控制装置,其特征在于,包括:
滤波模块,用于对接收的直流电信号进行滤波处理;
电流调节模块,与所述滤波模块连接,用于接收驱动信号并调节经滤波处理的直流电信号;
半导体致冷器,与所述电流调节模块连接,用于根据调节后的所述直流电信号,使所述半导体致冷器所处的环境保持恒温;
温度采集模块,与所述半导体致冷器连接;用于采集所述半导体致冷器的温度信号;
控制模块,分别与所述温度采集模块、电流调节模块连接;用于根据所述温度信号输出所述驱动信号并控制所述电流调节模块。
2.根据权利要求1所述的温度控制装置,其特征在于,所述滤波模块包括第一电容和第二电容;所述第一电容和第二电容并联,所述第一电容的一端接收所述直流电信号,所述第一电容的另一端接地;所述第二电容的一端分别与所述第一电容、电流调节模块连接,所述第二电容的另一端接地。
3.根据权利要求1所述的温度控制装置,其特征在于,所述电流调节模块包括变压器和整流单元;所述变压器的第一输入端与所述滤波模块连接,所述变压器的第二输入端与所述控制模块的输出端连接,所述变压器的第一输出端、第二输出端经所述整流单元与所述半导体致冷器连接。
4.根据权利要求3所述的温度控制装置,其特征在于,所述整流单元包括第一二极管和第二二极管;所述第一二极管的阳极与所述变压器的第一输出端连接,所述第一二极管的阴极与所述半导体致冷器连接;所述第二二极管的阳极与所述变压器的第二输出端连接,所述第二二极管的阴极与所述第一二极管的阴极连接。
5.根据权利要求4所述的温度控制装置,其特征在于,所述电流调节模块还包括滤波电容,所述滤波电容的第一端分别与所述第一二极管的阴极、半导体致冷器连接,所述滤波电容的第二端接地。
6.根据权利要求1所述的温度控制装置,其特征在于,所述控制模块包括DSP控制单元、驱动单元、开关管和用于存储预设温度信号的存储单元;
所述DSP控制单元分别与所述温度采集模块、驱动单元、存储单元连接;
所述DSP控制单元根据所述温度采集模块采集的温度信号与所述预设温度信号的差值控制所述驱动单元输出所述驱动信号;
所述开关管的控制端与所述驱动单元连接,所述开关管的输出端与所述电流调节模块连接,所述开关管的输入端接地,所述开关管根据所述驱动信号控制所述开关管的输出占空比以调节所述直流电信号。
7.根据权利要求6所述的温度控制装置,其特征在于,所述开关管为N型MOS管,所述N型MOS管的栅极为所述开关管的控制端,所述N型MOS管的漏极为所述开关管的输出端,所述N型MOS管的源极为所述开关管的输入端。
8.根据权利要求1所述的温度控制装置,其特征在于,所述温度采集模块包括温度传感器。
9.一种半导体激光器,其特征在于,包括如权利要求1~8任一项所述的温度控制装置。
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