[实用新型]一种用于雷电保护的双碟片超低容结构有效
| 申请号： | 201720487282.1 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN206850418U | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 郭小红 | 申请（专利权）人： | 萨锐微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙)31288 | 代理人： | 刘君 |
| 地址： | 200233 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 雷电 保护 碟片 超低容 结构 | ||
1.一种用于雷电保护的双碟片超低容结构，包括壳体(2)和引线(5)，其特征在于：所述壳体(2)的一侧卡接有第一引脚(1)，所述壳体(2)的另一侧卡接有第二引脚(4)，所述壳体(2)的底端固定有垫板(3)，所述壳体(2)的中部卡接有第一TSS芯片(6)和第二TSS芯片(7)。
2.根据权利要求1所述的一种用于雷电保护的双碟片超低容结构，其特征在于：所述第一引脚(1)通过引线(5)连接于壳体(2)的上部。
3.根据权利要求1所述的一种用于雷电保护的双碟片超低容结构，其特征在于：所述第二引脚(4)通过引线(5)连接于壳体(2)的下部。
4.根据权利要求1所述的一种用于雷电保护的双碟片超低容结构，其特征在于：所述第一TSS芯片(6)与第二TSS芯片(7)为并联电性连接。
5.根据权利要求1所述的一种用于雷电保护的双碟片超低容结构，其特征在于：所述第一TSS芯片(6)与第二TSS芯片(7)为分层叠加结构，所述第一TSS芯片(6)与第二TSS芯片(7)之间相互平行，且大小相等。
6.根据权利要求1所述的一种用于雷电保护的双碟片超低容结构，其特征在于：所述第一引脚(1)和第二引脚(4)的材料均为紫铜。
7.根据权利要求1所述的一种用于雷电保护的双碟片超低容结构，其特征在于：所述壳体(2)为密封结构，且壳体(2)表面覆盖有防水材料。
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