[实用新型]一种具有低残压性能的二极管

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及二极管技术领域，特别涉及一种具有低残压性能的二极管。

【背景技术】

瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两级受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度将两极的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位电压位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件(IC)免受各种浪涌脉冲的损坏，由于它有响应快，瞬态功率大，漏电流低，击穿电压偏差，钳位电压易控制，无损坏极限，体积小等优点。

但是，目前市面上标准产品的残压过大，导致后面的精密元器件(IC)被残压击穿，之前的工艺是N衬底，晶圆的厚度在350um,化腐片的杂质多，影响二极管的稳定性和工作性能。

【实用新型内容】

本实用新型的主要目的在于提供一种具有低残压性能的二极管，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：

一种具有低残压性能的二极管，包括本体，所述本体的外周套接有外罩，所述外罩的底端固定连接有支架，所述支架的下方连接有第一引脚和第二引脚，所述本体的上方固定连接有盖板，所述本体的顶端中部嵌接有N型半导体，所述本体的中部嵌接有P型半导体，所述N型半导体与P型半导体的连接处设置有P-N结界面。

进一步地，所述第一引脚与N型半导体电性连接，所述第二引脚与P型半导体电性连接。

进一步地，所述第一引脚和第二引脚的表面镀有银。

进一步地，所述外罩的材料为环氧树脂，且外罩为透明结构。

进一步地，所述外罩的上部为半球体结构，所述外罩的下部为柱体结构，所述外罩的中部开空。

进一步地，所述P-N结界面的截面为凹字形结构。

进一步地，所述本体的厚度为300um。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：该种实用新型设计合理，使用方便，具有降低残压，浪涌能力增强的效果，通过将本体的晶圆厚度设置为300um，相对于目前市面上普遍的350um设计，使晶圆的厚度有效减薄，并使用P衬底，为此来有效降低化腐片的杂质，通过将二极管的外罩采用环氧树脂设计，具有坚固耐用、尺寸稳定、耐强碱的优点，为此可有效提高二极管的使用寿命，为此可见该种实用新型，实用性较高，适合广泛推广。

【附图说明】

图1为本实用新型整体结构示意图。

图2为本实用新型内部结构示意图。

图中：1、外罩；2、本体；3、支架；4、第一引脚；5、盖板；6、N型半导体；7、P-N结界面；8、P型半导体；9、第二引脚。

【具体实施方式】

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

如图1-2所示，一种具有低残压性能的二极管，包括本体2，所述本体2的外周套接有外罩1，所述外罩1的底端固定连接有支架3，所述支架3的下方连接有第一引脚4和第二引脚9，所述本体2的上方固定连接有盖板5，所述本体2的顶端中部嵌接有N型半导体6，所述本体2的中部嵌接有P型半导体8，所述N型半导体6与P型半导体8的连接处设置有P-N结界面7，为此可有效实现二极管的低残压性能。

其中，所述第一引脚4与N型半导体6电性连接，所述第二引脚9与P型半导体8电性连接，实现部件之间的电性连通。

其中，所述第一引脚4和第二引脚9的表面镀有银，提高导电性能，并防止氧化。

其中，所述外罩1的材料为环氧树脂，且外罩1为透明结构，提高二极管的使用寿命。

其中，所述外罩1的上部为半球体结构，所述外罩1的下部为柱体结构，所述外罩1的中部开空。

其中，所述P-N结界面7的截面为凹字形结构。

其中，所述本体2的厚度为300um，降低残压，提高浪涌能力。

需要说明的是，本实用新型为一种具有低残压性能的二极管，工作时，通过将本体2的晶圆设置为300um，为此达到降低残压，提高浪涌能力的作用，通过在本体2的内部将P型半导体8作为衬底，为此可有效降低化腐片的杂质，提高二极管的性能，并提高稳定性，而使用时，只需将支架3上的第一引脚4和第二引脚9接入外接设备即可。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。