[实用新型]三电平四象限功率单元模块及变频器

权利要求书

1.一种三电平四象限功率单元模块，其特征在于，包括散热器、第一半导体开关元件、第二半导体开关元件、第三半导体开关元件、第四半导体开关元件以及一个整流二极管元件；其中：所述第一半导体开关元件、所述第二半导体开关元件、所述第三半导体开关元件、所述第四半导体开关元件以及所述整流二极管元件以排列成直线的方式贴于所述散热器的同一侧散热面。

2.根据权利要求1所述的三电平四象限功率单元模块，其特征在于，所述散热器的宽度与所述第一半导体开关元件的宽度匹配。

3.根据权利要求1所述的三电平四象限功率单元模块，其特征在于，所述第一半导体开关元件、所述第二半导体开关元件、所述整流二极管元件、所述第三半导体开关元件和所述第四半导体开关元件在所述散热器上依次排列。

4.根据权利要求3所述的三电平四象限功率单元模块，其特征在于，所述第一半导体开关元件、所述第二半导体开关元件、所述第三半导体开关元件、所述第四半导体开关元件以及所述整流二极管元件之间通过叠层设置的P直流铜排、N直流铜排、O直流铜排、L交流铜排、第一连接铜排以及第二连接铜排电连接。

5.根据权利要求4所述的三电平四象限功率单元模块，其特征在于，所述第一半导体开关元件、所述第二半导体开关元件、所述第三半导体开关元件、所述第四半导体开关元件分别为绝缘栅双极型晶体管。

6.根据权利要求5所述的三电平四象限功率单元模块，其特征在于，所述整流二极管元件包括第一二极管和第二二极管；

所述第一连接铜排分别与第一二极管的阴极、所述第一半导体开关元件的发射极、所述第二半导体开关元件的集电极电连接；所述第二连接铜排分别与所述第二二极管的阳极、所述第三半导体开关元件的发射极、所述第四半导体开关元件的集电极连接；所述P直流铜排与所述第一半导体开关元件的集电极电连接；所述O直流铜排分别与所述第一二极管的阳极、所述第二二极管的阴极电连接；所述N直流铜排与所述第四半导体开关元件的发射极电连接；所述L交流铜排与所述第二半导体开关元件的发射极、所述第三半导体开关元件的集电极电连接。

7.根据权利要求6所述的三电平四象限功率单元模块，其特征在于:

所述第一连接铜排位于第一半导体开关元件、所述第二半导体开关元件和所述整流二极管元件的上方；所述第二连接铜排位于所述整流二极管元件、所述第三半导体开关元件以及所述第四半导体开关元件的上方；

所述P直流铜排位于所述第一半导体开关元件的上方，并延伸到所述第一半导体开关元件的外侧形成所述P直流铜排的接线端；

所述O直流铜排位于所述整流二极管元件的上方，并经由所述第二半导体开关元件、所述第一半导体开关元件的上方延伸到所述第一半导体开关元件的外侧形成所述O直流铜排的接线端；

所述N直流铜排位于所述第四半导体开关元件的上方，并经由所述第三半导体开关元件、所述整流二极管元件、所述第二半导体开关元件、所述第一半导体开关元件的上方延伸到所述第一半导体开关元件的外侧形成所述N直流铜排的接线端；

所述L交流铜排位于所述第二半导体开关元件、所述整流二极管元件和所述第三半导体开关元件的上方，并经由所述第四半导体开关元件的上方延伸到所述第四半导体开关元件的外侧形成所述L交流铜排的接线端。

8.根据权利要求7所述的三电平四象限功率单元模块，其特征在于：

所述第一连接铜、所述第二连接铜排以及所述P直流铜排位于同一平面；所述O直流铜排叠于所述第一连接铜、所述第二连接铜排以及所述P直流铜排的上方；所述N直流铜排叠于所述O直流铜排的上方；所述L交流铜排叠于所述N直流铜排的上方。

9.根据权利要求1所述的三电平四象限功率单元模块，其特征在于，所述散热器为液冷散热器。

10.一种变频器，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的三电平四象限功率单元模块。