[实用新型]一种多晶硅太阳能电池有效
申请号: | 201720506208.X | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN206878008U | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 蒋建宝 | 申请(专利权)人: | 无锡赛晶太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 214200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能能源利用技术领域,特别是指一种多晶硅太阳能电池。
背景技术
能源短缺和环境污染是世纪人类所面临的两个重大问题,成为国际社会经济发展的瓶颈。太阳能作为清洁无污染的可再生能源提供了解决这两个问题的最好方案。目前,如何研制出光电转换效率高、寿命长、性能稳定以及成本低廉的太阳电池已经引起了全世界的广泛关注。因此,基于时代发展的需要,太阳电池具有广阔的发展空间。
太阳能光伏发电市场正蓬勃发展,在过去10年间,太阳电池市场每年以40%的比例迅速增长,其中晶体硅太阳电池占据了太阳电池近90%的市场份额。晶体硅太阳电池组件中硅晶片的成本约占太阳电池总成本的50%,即使生产技术不断精进与发展!进一步大幅降低晶体硅太阳电池的制备成本也已经达到极限;因此,薄膜化或薄层化成为降低太阳电池成本的主要手段和发展趋势。薄膜太阳电池(TFSC)较晶体硅太阳电池,具有弱光性能优良、原材料消耗大幅降低和成本低等优势。并且,TFSC还可在柔性衬底上制备,具有韧性好、可折叠、可卷曲以及可大面积生产等优点,未来可应用于衣服、汽车玻璃、飞机以及建筑物等表面。
另外,现有的多晶硅太阳能电池的结构复杂,而且,在多晶硅衬底的生长过程中,由于热应力的作用,会在晶粒中产生大量的缺陷。其中,悬挂键是多晶硅中的主要缺陷之一,存在于多晶硅的畴界处,成为载流子的俘获中心,导致载流子迁移率下降。且悬挂键的存在增加电子 - 空穴的复合损失,导致所制得的太阳能电池的光电转换效率低。为了增加载流子的迁移率,提高光电转换效率。通常在所述多晶硅衬底的上表面沉积一磷或神层,使其与所述多晶硅衬底作用以形成掺杂硅层接着,在所述掺杂硅层的上表面通过丝网印刷形成金属电极。然而,形成掺杂硅层需在高温条件下进行,工艺复杂,另外,丝网印刷所形成的金属电极宽度较大,造成这光面积较大,导致所制得的太阳能电池的光电转换效率低。
正面氮化硅钝化层与硅片之间没有隔离层,很容易出现PID(电位诱导衰减)现象。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种制造工艺简单、结构简单、光电转换效率高、能够有效解决太阳能电池电位诱导衰减问题的多晶硅太阳能电池。
本实用新型所述的一种多晶硅太阳能电池,包括多晶硅,在多晶硅上表面设有二氧化硅层,下表面设有下表面设有氧化铝钝化层;在二氧化硅层上表面依次设有的正面氮化硅钝化层、减反膜、多晶硅吸收层、发射层、TCO玻璃以及多个电极。
进一步改进,所述的TCO玻璃由平板玻璃表面通过均匀镀上一层透明的导电氧化物薄膜而成。
本实用新型的有益效果在于:
本实用新型在发射区使用了重掺杂工艺,发射区重掺杂能够形成顶层浅结重掺杂,大大提高了太阳能电池的能量转换效率,节约了成本;该电池还具有结构简单,制造工艺简单等优点。制备工艺简单,能进一步发展成更大的主动矩阵显示屏;含TCO的多晶硅薄膜电池结构可极大提高光生载流子的收集率。本实用新型在正面氮化硅钝化层与硅片之间制备了二氧化硅层,能够有效的解决太阳能电池电位诱导衰减问题。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型所述的一种多晶硅太阳能电池,包括多晶硅1,在多晶硅上表面设有二氧化硅层2,下表面设有下表面设有氧化铝钝化层3;在二氧化硅层上表面依次设有的正面氮化硅钝化层4、减反膜5、多晶硅吸收层6、发射层7、TCO玻璃8以及多个电极9。
所述的TCO玻璃8由平板玻璃表面通过均匀镀上一层透明的导电氧化物薄膜而成。
本实用新型在发射区使用了重掺杂工艺,发射区重掺杂能够形成顶层浅结重掺杂,大大提高了太阳能电池的能量转换效率,节约了成本;该电池还具有结构简单,制造工艺简单等优点。制备工艺简单,能进一步发展成更大的主动矩阵显示屏;含TCO的多晶硅薄膜电池结构可极大提高光生载流子的收集率。本实用新型在正面氮化硅钝化层与硅片之间制备了二氧化硅层,能够有效的解决太阳能电池电位诱导衰减问题。
本实用新型提供了一种多晶硅太阳能电池板,以上所述仅是本实用新型的优选实施方法,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以作出若干改进,这些改进也应视为本实用新型的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的