[实用新型]可调式提升炉管置放空间的置放柜有效
申请号: | 201720507461.7 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN206789527U | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 彭文星 | 申请(专利权)人: | 鑫祥科技有限公司;闳宇新技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)11301 | 代理人: | 郑玉洁 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调式 提升 炉管 置放 空间 | ||
1.一种可调式提升炉管置放空间的置放柜,其特征在于,其包括:
一储存箱体,外围一侧面连通设有至少一开口,该储存箱体内设有至少一储存座,该储存座上设有一转轴和一第一圆盘,该转轴轴设于该储存箱体的上下表面,该转轴穿设固定该第一圆盘,该转轴上的该第一圆盘的上方以环绕形式均匀分布延伸设有多个杆体。
2.如权利要求1所述的可调式提升炉管置放空间的置放柜,其特征在于,该第一圆盘上与该转轴之间垂直延伸设有多个在该第一圆盘上均匀排列的隔挡部。
3.如权利要求1所述的可调式提升炉管置放空间的置放柜,其特征在于,该储存箱体内下方表面设有多个第二通气孔,该储存箱体下方延伸设有至少一第二容置空间,该第二容置空间与这些第二通气孔相连通,该第二容置空间活动结合一抽屉,该抽屉内两相对侧面分别排列设有高低对称的两个嵌合槽,其中一相对侧面的两个嵌合槽活动嵌合一第一嵌合片,另一相对侧面的两个嵌合槽活动嵌合一第二嵌合片,该第一嵌合片上方设有一第一凹陷部,该第二嵌合片上方设有一第二凹陷部,该第一凹陷部和该第二凹陷部高低对称设置。
4.如权利要求2所述的可调式提升炉管置放空间的置放柜,其特征在于,每两个隔挡部之间的该第一圆盘之上设有多个防刮部。
5.如权利要求4所述的可调式提升炉管置放空间的置放柜,其特征在于,这些防刮部为条状,且由聚四氟乙烯材质制成。
6.如权利要求1所述的可调式提升炉管置放空间的置放柜,其特征在于,每一杆体上均设有两个固定底座,每一杆体上的该两个固定底座均分别接设一橡胶管。
7.如权利要求2、4或5所述的可调式提升炉管置放空间的置放柜,其特征在于,该第一圆盘上的下表面且相对应于每一隔挡部分别设有一固定部,该储存箱体内下方表面设有一被固定部,该被固定部活动固设于每一固定部上。
8.如权利要求1所述的可调式提升炉管置放空间的置放柜,其特征在于,该开口周围轴设一门板组,该门板组设有两个相互对称开合的门板,该储存箱体另一侧面上连通固设至少一风机过滤装置,该储存箱体垂直于该侧面的内部表面平行活动设有至少一拉板,该拉板一侧面上设有至少一组固定座,该拉板下方周缘延伸设有一底座,该组固定座上设有五个固定模块,每一固定模块设有一第一凹槽和一固定杆,该第一凹槽一侧延伸设有一第一容置空间,该固定杆一端轴设于该第一容置空间上。
9.如权利要求1、2、3、4、5、6或8所述的可调式提升炉管置放空间的置放柜,其特征在于,该第一圆盘上设有多个第一通气孔。
10.如权利要求1、2、3、4、5、6或8所述的可调式提升炉管置放空间的置放柜,其特征在于,每一杆体与转轴之间均以螺柱和螺孔相互螺接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造