[实用新型]一种高信噪比图像传感器有效
申请号: | 201720509217.4 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN206742241U | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | 王国建 | 申请(专利权)人: | 积高电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙)11210 | 代理人: | 陈兴强 |
地址: | 214100 江苏省无锡市滨湖区胡埭工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高信噪 图像传感器 | ||
1.一种高信噪比图像传感器,包括基底(1),其特征在于,所述基底(1)由可弯曲材料制作而成,所述基底(1)上均布有分离设置的若干感光元件(2),所述感光元件(2)包括p型衬底(3),所述p型衬底(3)上设置有至少一个像素单元,所述像素单元包括设置在p型衬底(3)上表面的n型埋层(4),所述n型埋层(4)的顶部覆盖有p型外延层(5),所述n型埋层(4)和p型外延层(5)的周围围绕有n型隔离环(6),所述n型隔离环(6)电连接的导电插塞,所述导电插塞接高电位,所述n型隔离环(6)的顶部由下至上依次设置有滤光膜(10)和光学玻璃(11)。
2.根据权利要求1所述的高信噪比图像传感器,其特征在于,所述n型埋层(4)注入的n型离子为磷离子或者砷离子,n型离子注入剂量为1018-1020/平方厘米。
3.根据权利要求1所述的高信噪比图像传感器,其特征在于,所述p型外延层(5)的厚度为2-4微米,所述p型外延层(5)的电阻率为1-100欧姆。
4.根据权利要求1所述的高信噪比图像传感器,其特征在于,所述像素单元包括若干像素,每个所述像素由光电二极管和复位晶体管组成,所述p型外延层(5)与n型阱(7)组成光电二极管,所述n型阱(7)与p型阱(8)组成PIN二极管。
5.根据权利要求4所述的高信噪比图像传感器,其特征在于,相邻两个所述像素之间设置有隔离结构(9)。
6.根据权利要求1所述的高信噪比图像传感器,其特征在于,在多个分离的所述感光元件(2)中,存在两个感光元件(2)的法线形成的锐角大于10度。
7.根据权利要求1所述的高信噪比图像传感器,其特征在于,多个所述感光元件(2)通过金属线连通,其中一半以上的所述金属线的长度大于所述多个感光元件(2)间距的1.05倍。
8.根据权利要求1所述的高信噪比图像传感器,其特征在于,多个所述感光元件(2)之间的空隙内填充有低透光率介质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的