[实用新型]一种高信噪比图像传感器有效

专利信息
申请号: 201720509217.4 申请日: 2017-05-09
公开(公告)号: CN206742241U 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 王国建 申请(专利权)人: 积高电子(无锡)有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙)11210 代理人: 陈兴强
地址: 214100 江苏省无锡市滨湖区胡埭工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 高信噪 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种高信噪比图像传感器,包括基底(1),其特征在于,所述基底(1)由可弯曲材料制作而成,所述基底(1)上均布有分离设置的若干感光元件(2),所述感光元件(2)包括p型衬底(3),所述p型衬底(3)上设置有至少一个像素单元,所述像素单元包括设置在p型衬底(3)上表面的n型埋层(4),所述n型埋层(4)的顶部覆盖有p型外延层(5),所述n型埋层(4)和p型外延层(5)的周围围绕有n型隔离环(6),所述n型隔离环(6)电连接的导电插塞,所述导电插塞接高电位,所述n型隔离环(6)的顶部由下至上依次设置有滤光膜(10)和光学玻璃(11)。

2.根据权利要求1所述的高信噪比图像传感器,其特征在于,所述n型埋层(4)注入的n型离子为磷离子或者砷离子,n型离子注入剂量为1018-1020/平方厘米。

3.根据权利要求1所述的高信噪比图像传感器,其特征在于,所述p型外延层(5)的厚度为2-4微米,所述p型外延层(5)的电阻率为1-100欧姆。

4.根据权利要求1所述的高信噪比图像传感器,其特征在于,所述像素单元包括若干像素,每个所述像素由光电二极管和复位晶体管组成,所述p型外延层(5)与n型阱(7)组成光电二极管,所述n型阱(7)与p型阱(8)组成PIN二极管。

5.根据权利要求4所述的高信噪比图像传感器,其特征在于,相邻两个所述像素之间设置有隔离结构(9)。

6.根据权利要求1所述的高信噪比图像传感器,其特征在于,在多个分离的所述感光元件(2)中,存在两个感光元件(2)的法线形成的锐角大于10度。

7.根据权利要求1所述的高信噪比图像传感器,其特征在于,多个所述感光元件(2)通过金属线连通,其中一半以上的所述金属线的长度大于所述多个感光元件(2)间距的1.05倍。

8.根据权利要求1所述的高信噪比图像传感器,其特征在于,多个所述感光元件(2)之间的空隙内填充有低透光率介质。

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