[实用新型]一种水下非接触电能传输装置

权利要求书

1.一种水下非接触电能传输装置，其特征在于：包括依次连接的海底观测网直流电源(1)、电能发送端和电能接收端，所述电能发送端包括依次连接的原边滤波电路(2)、控制驱动电路(3)、用于将直流电转换成高频交流电的原边逆变补偿电路(4)以及初级耦合器(5)，所述电能接收端包括依次连接的与初级耦合器(5)耦合的次级耦合器(6)、用于将交流电转换为直流电的副边整流补偿电路(7)和用于为负载(9)提供稳定可靠直流电的副边滤波电路(8)，所述初级耦合器(5)和次级耦合器(6)均位于水下环境，所述初级耦合器(5)和次级耦合器(6)之间的间隙不大于5mm，其中N_S表示次级耦合器(6)的线圈匝数，N_P表示初级耦合器(5)的线圈匝数。

2.按照权利要求1所述的一种水下非接触电能传输装置，其特征在于：所述控制驱动电路(3)包括芯片TL494和型号均为IR2110的芯片U1和芯片U2，所述芯片TL494的E2引脚分别与芯片U1的HIN引脚和芯片U2的HIN引脚相接，所述芯片TL494的E1引脚分别与芯片U1的LIN引脚和芯片U2的LIN引脚相接，所述芯片U1的HO引脚经电阻R1与原边逆变补偿电路(4)相接，所述芯片U1的LO引脚经电阻R2与原边逆变补偿电路(4)相接，所述芯片U1的VB引脚与电容C1的一端相接，电容C1的另一端分两路，一路与芯片U1的VS引脚相接，另一路与二极管D1的阴极相接，所述二极管D1的阳极分三路，一路与芯片U1的VCC引脚相接，另一路经电容C2与芯片U1的COM引脚相接，第三路与VCC电源端相接；所述芯片U2的HO引脚经电阻R3与原边逆变补偿电路(4)相接，所述芯片U2的LO引脚经电阻R4与原边逆变补偿电路(4)相接，所述芯片U2的VB引脚与电容C3的一端相接，电容C3的另一端分两路，一路与芯片U2的VS引脚相接，另一路与二极管D2的阴极相接，所述二极管D2的阳极分三路，一路与芯片U2的VCC引脚相接，另一路经电容C4与芯片U2的COM引脚相接，第三路与VCC电源端相接。

3.按照权利要求2所述的一种水下非接触电能传输装置，其特征在于：所述原边逆变补偿电路(4)为方波逆变电路，所述方波逆变电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4，所述MOS管Q1的栅极与芯片U1的HO引脚相接，所述MOS管Q1的源极分两路，一路与所述初级耦合器(5)的一端相接，另一路与MOS管Q2的漏极相接，所述MOS管Q2的栅极与芯片U1的LO引脚相接，所述MOS管Q1的漏极与VDD电源端相接，所述MOS管Q2的源极接地，所述MOS管Q3的栅极与芯片U2的HO引脚相接，所述MOS管Q3的源极分两路，一路与所述初级耦合器(5)的另一端相接，另一路与MOS管Q4的漏极相接，所述MOS管Q4的栅极与芯片U2的LO引脚相接，所述MOS管Q3的漏极与VDD电源端相接，所述MOS管Q4的源极接地。

4.按照权利要求1所述的一种水下非接触电能传输装置，其特征在于：所述副边整流补偿电路(7)为全波不控式整流电路，所述全波不控式整流电路由二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6组成，所述二极管D3的阳极与二极管D5的阴极相接，所述D3的阴极与二极管D4的阴极相接，所述二极管D4的阳极与二极管D6的阴极相接，所述二极管D6的阳极与二极管D5的阳极相接，所述二极管D3的阳极与二极管D5的阴极的连接端经电容C7与所述次级耦合器(6)的一端相接，所述二极管D4的阳极与二极管D6的阴极的连接端与所述次级耦合器(6)的另一端相接。

5.按照权利要求1所述的一种水下非接触电能传输装置，其特征在于：所述原边滤波电路(2)包括三端稳压器7815。