[实用新型]发射极和背面钝化太阳能电池片激光开槽结构有效
申请号: | 201720515816.7 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN206820001U | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 彭彪;徐强;俞超;李慧;吴俊清;樊华 | 申请(专利权)人: | 东方环晟光伏(江苏)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司32218 | 代理人: | 刘畅,徐冬涛 |
地址: | 214203 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射极 背面 钝化 太阳能电池 激光 开槽 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造领域,具体是一种发射极和背面钝化太阳能电池片激光开槽结构。
背景技术
发射极和背面钝化太阳能电池技术(PERC)与常规电池的不同之处在于其在硅片背面镀了一层Al2O3薄膜进行背面钝化,Al2O3薄膜外面再镀一层SiN薄膜,提高背面反射率。Al2O3和SiN薄膜不导电,无法将太阳电池产生的光生载流子输出提供给负载。因此需要使用激光在硅片背面进行开槽或开孔,将背面的Al2O3和SiN薄膜打穿以便铝背场浆料可以与硅基体进行接触,在烧结后形成良好的欧姆接触。
目前常见的发射极和背面钝化太阳能激光开槽结构为直线型实线设计(图1)或直线型虚线设计(图2),直线型激光开槽结构具有激光加工时间短,图形简单等优点。但是由于该结构激光开槽直接贯穿整个硅片背面,因此,在电池片的背电极下面也存在激光线槽。该结构电池片在组件焊接时,背电极银浆受到焊带热胀冷缩张力,很容易在背电极区域附近的激光开槽位置形成应力释放,导致发射极和背面钝化太阳能电池技术(PERC)在组件焊接生产时很容易破片。大量生产数据表明,采用直线型激光开槽结构的发射极和背面钝化太阳能电池片,组件焊接破片率比常规电池片提高2-3倍。
实用新型内容
本实用新型针对背景技术中存在的问题,提出一种发射极和背面钝化太阳能电池片激光开槽结构,技术方案:太阳能电池片的激光开槽结构由激光开槽线和激光非开槽区构成,所述激光开槽线在背电极处断开,背电极周围形成激光非开槽方框。
优选的,所述激光非开槽方框由激光开槽线围成。
优选的,所述激光开槽线的线宽为20um-70um。
优选的,相邻两条激光开槽线的间距为0.6mm-1.4mm。
作为一种实施方式,所述激光开槽线为实线;作为另一种实施方式,所述激光开槽线为者虚线。
本实用新型的有益效果
本实用新型中,背电极区域不开槽(没有激光开槽线切割),在组件焊接时电池片背电极所受的热应力不会集中释放在激光开槽损伤处,从而降低了组件焊接破片率。
附图说明
图1为背景技术中激光开槽结构为直线型实线设计示意图。
图2为背景技术中激光开槽结构为直线型虚线设计示意图。
图3为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步说明,但本实用新型的保护范围不限于此:
结合图3,实施例1:一种发射极和背面钝化太阳能电池片激光开槽结构,太阳能电池片的激光开槽结构由激光开槽线2和激光非开槽区1构成,所述激光开槽线2在背电极3处断开,背电极3周围形成激光非开槽方框4。
实施例2:如实施例1所述的发射极和背面钝化太阳能电池片激光开槽结构,所述激光非开槽方框4由激光开槽线2围成,如图3所示。在其它实施例中,激光非开槽方框4也可以为激光非开槽区1。
实施例3:如实施例1所述的发射极和背面钝化太阳能电池片激光开槽结构,所述激光开槽线2的线宽为20um-70um。
实施例4:如实施例1所述的发射极和背面钝化太阳能电池片激光开槽结构,相邻两条激光开槽线2的间距为0.6mm-1.4mm。
实施例5:如实施例1所述的发射极和背面钝化太阳能电池片激光开槽结构,所述激光开槽线2为实线。
实施例6:如实施例1所述的发射极和背面钝化太阳能电池片激光开槽结构,所述激光开槽线2为虚线。
效果对比说明
实验例:
实验选用晶向为<100>,尺寸为156.75mm×156.75mm,对角线210mm,硅片厚度为170±20um,电阻率为1-3Ω.cm的P型直拉单晶硅片,按如下加工方法制备5万片发射极和背面钝化太阳能电池片PERC(本实用新型公开的激光开槽结构):
第一步:采用槽式制绒设备,对单晶硅片进行制绒处理,形成金字塔绒面;
第二步:采用高温扩散技术,对硅基体掺硼制备PN结;
第三步:采用湿法刻蚀技术,刻蚀抛光去除硅片边缘PN结及表面缺陷,使背表面平整;
第四步:使用PECVD技术,先在硅片背表面沉积20nm-30nm氧化二铝薄膜,然后再在三氧化二铝薄膜表面沉积90nm—120nm氮化硅薄膜,制作电池片背面钝化膜层;
第五步:使用PECVD技术,在硅片正表面沉积70-90nm氮化硅薄膜,制作电池片正面钝化膜层;
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的