[实用新型]一种适用于大尺寸晶振和小尺寸晶振放置的座体

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种适用于大尺寸晶振和小尺寸晶振放置的座体。

背景技术

晶振印标示的时候，需要用到放置晶振的座体，现有的放置晶振的座体，一般只设置了一个供晶振放置的腔体，只适合于一种尺寸的晶振放置，但是实际情况存在尺寸大小不同的晶振，造成了该类座体的通用性不强。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是，提供一种适用于大尺寸晶振和小尺寸晶振放置的座体，实现了两种尺寸的晶振放置，提高了座体的通用性。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的技术方案为：一种适用于大尺寸晶振和小尺寸晶振放置的座体，它包括长条形块状底座；两条条状凹槽，前后间隔地设于长条形块状底座上；若干个大尺寸晶振放置腔，间隔地设在间隔分布的条状凹槽之间的长条形块状底座上，每一大尺寸晶振放置腔向下凹陷形成；若干个小尺寸晶振放置腔，与大尺寸晶振放置腔一一对应并向下凹陷形成于所述大尺寸晶振放置腔的腔底上；第一相抵面，形成在大尺寸晶振放置腔前侧的条状凹槽上用于与放置到大尺寸晶振放置腔上的晶振的前端相抵；第二相抵面，形成在小尺寸晶振放置腔前侧的条状凹槽上用于与放置到小尺寸晶振放置腔上的晶振的前端相抵；第三相抵面，形成在大尺寸晶振放置腔后侧的条状凹槽上用于与放置到大尺寸晶振放置腔上的晶振的后端相抵；第四相抵面，形成在小尺寸晶振放置腔前侧的条状凹槽上用于与放置到小尺寸晶振放置腔上的晶振的后端相抵。

作为优选，所述大尺寸晶振放置腔左右侧的长条形块状底座上设有档条。

作为优选，所述档条与长条形块状底座为一体式结构。

作为优选，所述大尺寸晶振放置腔呈至下而上扩大的扩口状。

作为优选，所述小尺寸晶振放置腔呈至下而上扩大的扩口状。

采用以上结构后，本实用新型与现有技术相比，具有以下优点：

其结构包括长条形块状底座；两条条状凹槽，前后间隔地设于长条形块状底座上；若干个大尺寸晶振放置腔，间隔地设在间隔分布的条状凹槽之间的长条形块状底座上，每一大尺寸晶振放置腔向下凹陷形成；若干个小尺寸晶振放置腔，与大尺寸晶振放置腔一一对应并向下凹陷形成于一所述大尺寸晶振放置腔的腔底上；第一相抵面，形成在大尺寸晶振放置腔前侧的条状凹槽上用于与放置到大尺寸晶振放置腔上的晶振的前端相抵；第二相抵面，形成在小尺寸晶振放置腔前侧的条状凹槽上用于与放置到小尺寸晶振放置腔上的晶振的前端相抵；第三相抵面，形成在大尺寸晶振放置腔后侧的条状凹槽上用于与放置到大尺寸晶振放置腔上的晶振的后端相抵；第四相抵面，形成在小尺寸晶振放置腔前侧的条状凹槽上用于与放置到小尺寸晶振放置腔上的晶振的后端相抵。正是基于上述的结构形式，通过设置长条形块状底，并在长条形块状底座上设置上下设置的大尺寸晶振放置腔和小尺寸放置腔，实现了不同规格的晶振的放置提高了本申请的座体的通用性，同时为后续的晶振印标示操作提高了方便。

附图说明

图1是本实用新型的整体结构示意图。

图2是图1A-A的向视图。

图3是图1B-B的向视图。

图中所示：1、长条形块状底座；111、条状凹槽；211、大尺寸晶振放置腔；212、小尺寸晶振放置腔；311、第一相抵面；312、第二相抵面；313、第三相抵面；314、第四相抵面；4、档条。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明。

如图1-3所示，本实用新型一种适用于大尺寸晶振和小尺寸晶振放置的座体，它包括长条形块状底座1；两条条状凹槽111，前后间隔地设于长条形块状底座1上；若干个大尺寸晶振放置腔211，间隔地设在间隔分布的条状凹槽111之间的长条形块状底座1上，每一大尺寸晶振放置腔211向下凹陷形成；若干个小尺寸晶振放置腔212，与大尺寸晶振放置腔211一一对应并向下凹陷形成于所述大尺寸晶振放置腔211的腔底上；第一相抵面311，形成在大尺寸晶振放置腔211前侧的条状凹槽111上用于与放置到大尺寸晶振放置腔211上的晶振的前端相抵；第二相抵面312，形成在小尺寸晶振放置腔212前侧的条状凹槽111上用于与放置到小尺寸晶振放置腔212上的晶振的前端相抵；第三相抵面313，形成在大尺寸晶振放置腔211后侧的条状凹槽111上用于与放置到大尺寸晶振放置腔211上的晶振的后端相抵；第四相抵面314，形成在小尺寸晶振放置腔212前侧的条状凹槽111上用于与放置到小尺寸晶振放置腔212上的晶振的后端相抵。