[实用新型]一种整流二极管的存取装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及整流二极管技术领域，具体为一种整流二极管的存取装置。

背景技术

整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出，整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。

在整流二极管存取过程中，现有的存取装置结构功能单一，容易在存取过程中使得整流二极管碰坏或者被污染，进而影响整流二极管的正常使用。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种整流二极管的存取装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种整流二极管的存取装置，包括箱体，所述箱体上铰接有箱盖，所述箱体底部中间位置设有把手，所述把手两侧设有连接扣，所述箱盖对应位置设有连接销，所述箱盖上均匀设有第一上二极管槽，所述箱体内设有第一面板，所述第一面板顶部对应第一上二极管槽设置有第一下二极管槽，所述第一面板底部开设有第二上二极管槽，所述第一面板底部铰接有第二面板，所述第二面板顶部对应第二上二极管槽设置有第二下二极管槽。

优选的，所述箱体和箱盖通过铰链铰接。

优选的，所述箱体表面设有产品标签。

优选的，所述箱体和箱盖均包括内层和外层，所述内层和外层之间均匀设有弹性气垫。

优选的，所述第一上二极管槽、第一下二极管槽、第二上二极管槽和第二下二极管槽均呈环形阵列分布。

优选的，所述第一面板和第二面板均为泡沫面板。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型一种整流二极管的存取装置，结构新颖，操作方便，通过采用箱体和箱盖结构，方便存取，方便携带，整流二极管放置在第一面板和第二面板上的第一下二极管槽和第二下二极管槽上，对应第一上二极管槽和第二上二极管槽合在一起，使得整流二极管可以分类整齐的摆放在箱体内，同时采用两层面板结构，提高存放量，而且第一面板和第二面板均为泡沫面板，具有一定的抗震作用，可以有效的并将整流二极管覆盖包围起来，保护不受到外界的破坏或者污染，而且箱体和箱盖的内层和外层之间设置的弹性气垫，可以有效的起到二次抗震作用，具有很高的实用性，大大提升了该一种整流二极管的存取装置的使用功能性，保证其使用效果和使用效益，适合广泛推广。

附图说明

图1为本实用新型整体内部展开结构示意图；

图2为本实用新型第一面板和第二面板部分结构示意图；

图3为本实用新型外部结构示意图；

图4为本实用新型箱体和箱盖表面结构示意图。

图中：1箱体、2箱盖、3把手、4连接扣、5连接销、6铰链、7第一上二极管槽、8第一面板、9第一下二极管槽、10第二面板、11第二上二极管槽、12第二下二极管槽、13产品标签、14内层、15外层、16弹性气垫。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。