[实用新型]一种太阳能电池片及其印刷网版有效

专利信息
申请号: 201720521599.2 申请日: 2017-05-11
公开(公告)号: CN206711904U 公开(公告)日: 2017-12-05
发明(设计)人: 岳小宝;曹铭;周彬;衡阳;郑旭然;邢国强 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;B41F15/36
代理公司: 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 代理人: 陆金星
地址: 215129 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 及其 印刷
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及太阳电池制造技术领域,具体涉及一种太阳能电池片及其印刷网版。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽,在现有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。光伏发电是利用太阳光能使半导体电子器件有效地吸收太阳光辐射能,并使之转变成电能的直接发电方式,是当今太阳光发电的主流。时下,人们通常所说太阳光发电就是太阳能光伏发电,亦称太阳能电池发电。可以将太阳能直接转换成电能,其发电原理是基于半导体PN2结的光生伏特效应。其中,晶体硅太阳能电池由于丰富的硅储量得到了广泛应用。

现有的晶体硅太阳能电池的制备工艺如下:清洗制绒→扩散→刻蚀/去PSG→PECVD→丝网印刷→烧结→测试分档→分选→包装。其中丝网印刷是在镀膜后电池片N2面印刷有正电极,正电极用来收集激发的载流子,与背电极连结形成通路传导电流。

如图1所示,为现有的太阳能电池片,电池片11划分为沿横向依次排列的至少三个受光区,相邻两个受光区之间设有一条主栅12,每个受光区中设有数条副栅13,每条主栅12沿纵向延伸,数条主栅12沿横向依次排列,每条副栅13沿横向延伸,数条副栅13沿纵向依次排列,各条主栅之间等间距设置,以四主栅的电池片为例,间距为31.2毫米,如图2所示,为现有的太阳能电池的印刷网版,包括网框21和张紧在网框21内侧的网布22,网布22包括印刷区,印刷区设有用于透浆印刷主栅12的主栅槽23和用于透浆印刷副栅13的副栅槽24。

而现实生产中,由于扩散炉结构和石英舟上电池片密度的原因,电池片方阻均匀性较差,电池片方阻自中心到边缘依次递减,电池片边缘的适宜烧结温度高于电池片中心的适宜烧结温度,现有的电池片烧结后,用EN3测试机拍照,可以看到中心区域烧结过度形成发黑区域,即黑心,黑心导致电池片效率下降,形成不良产品,导致客诉,影响生产。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种太阳能电池片,其正电极结构不但能减少烧结不良,避免黑心现象,而且降低电池正面的接触电阻,减少太阳能电池功率损耗,综合提升电池效率。

为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种太阳能电池片,所述电池片划分为沿横向依次排列的至少三个受光区,任意相邻的两个所述受光区之间设有一条主栅,每个所述受光区中设有数条副栅,

当所述受光区的个数为偶数时,沿横向方向,设于最中间的所述主栅作为中心主栅,沿向左渐远所述中心主栅的方向,不同所述受光区的横向尺寸依次递增,沿向右渐远所述中心主栅的方向,不同所述受光区的横向尺寸依次递增;

当所述受光区的个数为奇数时,沿横向方向,设于最中间的所述受光区作为中心受光区,相邻设于所述中心受光区左侧的主栅作为左主栅,相邻设于所述中心受光区右侧的主栅作为右主栅,沿向右渐远所述左主栅的方向,不同所述受光区的横向尺寸依次递增,沿向左渐远所述右主栅的方向,不同所述受光区的横向尺寸依次递增。

进一步的:横向尺寸最大的所述受光区的横向尺寸为9-60毫米,横向尺寸最小的所述受光区的横向尺寸为8-52毫米。

进一步的:所述依次递增为按等差数列依次递增。

进一步的:沿向左方向的递增公差和沿向右方向的递增公差相同。

进一步的:每条所述主栅沿纵向延伸,至少两条所述主栅沿横向依次排列。

进一步的:每条所述副栅沿横向延伸,设于同一所述受光区中的不同副栅沿纵向依次等间距排列,设于相邻的两个所述受光区中的副栅的条数相同,且位置一一对应的设置在同一横向直线上。

进一步的:沿横向方向,设于最左侧和最右侧的所述受光区作为边缘受光区,设于所述边缘受光区之间的所述受光区作为内部受光区,设于所述边缘受光区中的副栅,仅一端和与其相邻的一条所述主栅交汇,设于所述内部受光区中的副栅,两端分别和与其相邻的两条所述主栅交汇。

进一步的:所述受光区个数为3-17个,所述主栅条数为2-16条,设于同一所述受光区中的副栅条数为80-200条。

进一步的:所述主栅和所述副栅具有与各自延伸方向同向的长度方向、垂直于所述电池片的厚度方向以及分别与各自长度方向和厚度方向垂直的宽度方向,所述主栅长度为153-156毫米,所述主栅宽度为300-1000微米,所述副栅长度为8-60毫米,所述副栅宽度为20-100微米。

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