[实用新型]一种基于SPPs‑CDEW混合模式的全光二极管有效
| 申请号： | 201720522385.7 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN206696461U | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 祁云平;胡月;南向红;张雪伟;周培洋 | 申请（专利权）人： | 西北师范大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 兰州智和专利代理事务所(普通合伙)62201 | 代理人： | 周立新 |
| 地址： | 730070 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 spps cdew 混合 模式 二极管 | ||
1.一种基于SPPs-CDEW混合模式的全光二极管，其特征在于，包括并排设置的第一银膜（1）和第二银膜（5），第一银膜（1）和第二银膜（5）之间有间隙，该间隙为单狭缝（3）；第一银膜（1）的上表面刻蚀有多条第一上表面凹槽（2），第二银膜（5）的上表面刻蚀有数量与第一上表面凹槽数量相同的第二上表面凹槽（4），第一银膜（1）的下表面刻蚀有数量为第一上表面凹槽（2）数量加1的第一下表面凹槽（6），第二银膜（5）的下表面刻蚀有数量与第一下表面凹槽（6）数量相同的第二下表面凹槽（7）；第一上表面凹槽（2）和第一下表面凹槽（6）错位设置，第二上表面凹槽（4）和第二下表面凹槽（7）错位设置；第一上表面凹槽（2）和第二上表面凹槽（4）相对于单狭缝（3）对称设置，第一下表面凹槽（6）和第二下表面凹槽（7）相对于单狭缝（3）对称设置。
2.根据权利要求1所述的基于SPPs-CDEW混合模式的全光二极管，其特征在于，沿远离单狭缝（3）的方向、第一银膜（1）上各上表面凹槽中心线与单狭缝中心线之间的距离依次为594nm、1048nm、2232nm、3060nm、3809nm，沿远离单狭缝（3）的方向、第二银膜（5）上各上表面凹槽中心线与单狭缝中心线之间的距离依次为594nm、1048nm、2232nm、3060nm、3809nm；沿远离单狭缝（3）的方向、第一银膜（1）上各下表面凹槽中心线与单狭缝中心线之间的距离依次为900nm、1740nm、2580nm、3420nm、4260nm、5100nm，沿远离单狭缝（3）的方向、第二银膜（5）上各下表面凹槽中心线与单狭缝中心线之间的距离依次为900nm、1740nm、2580nm、3420nm、4260nm、5100nm。
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