[实用新型]基于超磁致伸缩效应的十字微悬桥光纤磁场传感探头有效
申请号: | 201720523242.8 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN206975197U | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 施阳阳;刘月明;韩晓红 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | G01R33/032 | 分类号: | G01R33/032 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 超磁致 伸缩 效应 十字 微悬桥 光纤 磁场 传感 探头 | ||
1.一种基于超磁致伸缩效应的十字微悬桥光纤磁场传感探头,包括:光纤,对称固支端,具有中间反射体的十字微悬桥,铬金属膜,超磁致伸缩薄膜,其特征是具有中间反射体的十字微悬桥位于光纤端面,十字微悬桥长度为95μm-105μm,其中中间反射体长为30μm-40μm,宽为30μm-40μm,微悬桥厚度为3μm-5μm,四个对称固支端长度为10μm-15μm,宽度与十字微悬桥的宽度相同,为15μm-25μm,十字微悬桥与光纤端面通过四个对称固支端连接,并且构成法布里-珀罗谐振腔,形成光纤一体化结构。
2.根据权利要求1所述的一种基于超磁致伸缩效应的十字微悬桥光纤磁场传感探头,其特征是铬金属膜和超磁致伸缩薄膜依次镀在微悬桥的外表面,铬金属膜厚度为30nm-50nm,超磁致伸缩薄膜材料为TbDyFe材料,厚度为1μm-1.5μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量大学,未经中国计量大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720523242.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种监测杀虫灯的装置
- 下一篇:基于F‑P结构的光纤微悬桥磁场传感探头