[实用新型]嵌入式纳米金阵列表面等离子共振传感器基底有效
| 申请号： | 201720531943.6 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN207300884U | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 刘瑜;孔令超;王军;吴杨生;裴霄翔 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G01N21/59 | 分类号： | G01N21/59;G01N21/01 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 | 代理人： | 郑立明,郑哲 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 嵌入式 纳米 阵列 表面 等离子 共振 传感器 基底 | ||
【权利要求书】：
1.一种嵌入式纳米金阵列表面等离子共振传感器基底，其特征在于，包括：
二氧化硅介质基底(2)以及嵌入二氧化硅介质基底(2)的周期型菱形金纳米颗粒阵列(1)；
在可见光范围内，入射光从周期型菱形金纳米颗粒阵列(1)上方垂直入射，偏正方向沿x轴方向；
周期型菱形金纳米颗粒阵列(1)的嵌入深度为d＝100nm；
二氧化硅介质基底(2)的厚度为h＝400nm，介电常数为1.45；
周期型菱形金纳米颗粒阵列(1)的高度为Lz＝30nm，周期型菱形金纳米颗粒阵列(1)的长轴和短轴分别为Lx＝100nm和Ly＝40nm，金的介电常数采用Drude模型；
周期型菱形金纳米颗粒阵列(1)沿x方向的周期和y方向的周期分别为Px＝200nm和Py＝570nm。
2.根据权利要求1所述的一种嵌入式纳米金阵列表面等离子共振传感器基底，其特征在于，传感器基底结构上下边界条件取完全匹配层，在x和y方向取周期性边界条件。
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