[实用新型]半导体芯片吸嘴装置、其接口端及单体吸嘴

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，特别是涉及覆晶(flip chip)封装芯片时使用的半导体芯片吸嘴装置、其接口端及单体吸嘴。

背景技术

覆晶封装技术是封装领域的革新，且越来越多地应用在封装领域。覆晶封装技术与传统封装技术相比，主要区别在于覆晶封装技术将晶片键合(Die bonder)工序和打线键合(Wire bonder)工序整合在一起，使封装的前端生产更加简化，从而提高封装效率和产品良率。然而，在经整合的工序中需要重新设计一些间材，例如，键合吸嘴(bond nozzle)。

然而，现有技术的一体式键合吸嘴的通用性较差，即使是相同尺寸的覆晶晶片/芯片，在以不同的键合角度设置于封装基板时也需要使用两只不同型号的一体式键合吸嘴。此外，一体式键合吸嘴由多个零件组成，且每一零件都要求较高的精度，并且将多个零件组装成一体式键合吸嘴后需要保证一体式键合吸嘴具有良好的密闭性。鉴于上述多种严格要求，现有的一体式键合吸嘴除通用性差外，还存在设计复杂、不易加工、及成本较高等缺陷。

因此，业内需要提供一种新型的键合吸嘴。

实用新型内容

本实用新型的目的之一在于提供半导体芯片吸嘴装置、其接口端及单体吸嘴，其可有效改善现有半导体芯片吸嘴装置的各种缺陷。

本实用新型的一实施例提供一半导体芯片吸嘴装置，其包括：接口端，该接口端包括底座和设置于底座上的接口；以及吸嘴，该吸嘴包括吸嘴主体以及与吸嘴主体连接的吸嘴头部，该吸嘴主体经配置以可拆卸的方式收纳于接口中。

在本实用新型的另一实施例中，该半导体芯片吸嘴装置进一步包括螺栓，该螺栓经配置以旋紧于接口外侧而将吸嘴主体定位于接口中。在本实用新型的又一实施例中，该接口进一步包括自底座延伸的螺纹区段，及设置于螺纹区段上方的若干夹片。在本实用新型的另一实施例中，该接口端为一体成型。在本实用新型的又一实施例中，该接口端进一步包括设置于底座下的吸真空接口。在本实用新型的另一实施例中，该吸嘴头部的材质为钨钢或硬塑料。

本实用新型的又一实施例提供一半导体芯片吸嘴装置的接口端，该接口端包括底座，以及设置于底座上的接口，该接口经配置以可拆卸地收容不同的吸嘴。

本实用新型的一实施例还提供一单体吸嘴，该单体吸嘴包括：吸嘴主体；以及与吸嘴主体连接的吸嘴头部；其中该吸嘴主体经配置以可拆卸地收容于半导体芯片吸嘴装置的接口端。

本实用新型实施例提供的半导体芯片吸嘴装置在安装时可以旋转角度，从而适用于具有相同的晶片尺寸(die size)但键合角度(bonding angle)不同的产品，通用性得到很好的改善，进而提高了生产效率。

附图说明

图1是根据本实用新型一实施例的半导体芯片吸嘴装置的立体结构示意图

图2是图1所示的半导体芯片吸嘴装置的立体分解结构示意图

具体实施方式

为更好的理解本实用新型的精神，以下结合本实用新型的部分优选实施例对其作进一步说明。

图1是根据本实用新型一实施例的半导体芯片吸嘴装置100的立体结构示意图。图2是图1所示的半导体芯片吸嘴装置100的立体分解结构示意图。参见图1和图2，根据本实用新型一实施例的半导体芯片吸嘴装置100包括：接口端10以及吸嘴12，该吸嘴12为可独立于接口端10的单体吸嘴。

该接口端10包括底座102和设置于底座102上的接口104。在本实施例中，该接口104进一步包括自底座102延伸的螺纹区段106，及设置于螺纹区段106上方的若干夹片108。在本实施例中，该接口端10可为一体成型。在本实施例中，该接口端10可进一步包括设置于底座102下的吸真空接口103以接合外部真空装置。该接口端10的材质是不锈钢或其它耐腐蚀的硬金属。

该吸嘴12包括吸嘴主体122以及与吸嘴主体122连接的吸嘴头部124。该吸嘴主体122的直径尺寸与接口端10的接口104的尺寸相匹配，以经配置以可拆卸的方式收纳于接口104中。优选的，该吸嘴主体122可为圆柱状，从而可在接口104内以任意角度旋转而适用不同的键合角度。该吸嘴头部124可自吸嘴主体122一体延伸，其材质可为钨钢或硬塑料以确保使用该吸嘴12进行晶片键合时键合力(bonding force)的精确传输。该吸嘴头部124的尺寸可以根据不同晶片尺寸进行设计。

本实施例中，该半导体芯片吸嘴装置100可进一步包括螺栓14，该螺栓14经配置以旋紧于底座102的螺纹区段106而将吸嘴主体122定位于该接口104中。