[实用新型]低发光强度的发光二极体元件

权利要求书

1.一种低发光强度的发光二极体元件，其特征在于，包含：

发光单元，以产生第一可见光；

导线，电性连接该发光单元；

透光封装体，包覆该发光单元及部分该导线；及

复数不透光微粒，散布于该透光封装体内，该第一可见光的一部分透出该透光封装体形成第二可见光，其中该第二可见光的发光强度低于该第一可见光的发光强度。

2.如权利要求1所述的低发光强度的发光二极体元件，其中该第二可见光的发光强度为该第一可见光的发光强度的30％以下。

3.如权利要求1所述的低发光强度的发光二极体元件，其中该第二可见光的发光强度为该第一可见光的发光强度的10％以下。

4.如权利要求3所述的低发光强度的发光二极体元件，其中该第一可见光的发光强度为500至550mcd，该第二可见光的发光强度为25mcd以下。

5.如权利要求4所述的低发光强度的发光二极体元件，其中该第一可见光及该第二可见光的波长为450至780nm。

6.如权利要求5所述的低发光强度的发光二极体元件，其中该发光单元可以是红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片或白光LED芯片其中至少一种。

7.如权利要求2所述的低发光强度的发光二极体元件，其中该些不透光微粒为黑色粉末。

8.如权利要求1所述的低发光强度的发光二极体元件，其中该透光封装体为由环氧树脂(expoxy)或硅氧树脂(silicone)其中至少一种所制成。

9.如权利要求1或7所述的低发光强度的发光二极体元件，其中该些不透光微粒的比重与该透光封装体相同。