[实用新型]脊状发光二极管有效
| 申请号： | 201720544793.2 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN206992138U | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | 张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种脊状发光二极管，其特征在于，包括：SOI衬底层、晶化Ge层、脊状Ge-Sn合金层、N型Ge-Sn合金层、P型Ge-Sn合金层，其中：
所述晶化Ge层位于所述SOI衬底层之上；
所述脊状Ge-Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上中间位置；
所述N型Ge-Sn合金层和所述P型Ge-Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上所述脊状Ge-Sn合金层两侧。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括钝化层，所述钝化层位于所述N型Ge-Sn合金层、所述脊状Ge-Sn合金层、所述P型Ge-Sn合金层之上。
3.根据权利要求2所述的二极管，其特征在于，所述钝化层的材料为SiO2。
4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括第一电极和第二电极，其中：
所述第一电极，位于所述N型Ge-Sn合金层之上；
所述第二电极，位于所述P型Ge-Sn合金层之上。
5.根据权利要求4所述的二极管，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材料为Cr-Au合金。
6.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述脊状Ge-Sn合金层厚度为150～200nm。
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