[实用新型]一种功率型紫外LED器件

权利要求书

1.一种功率型紫外LED器件，包括散热基板以及倒装在所述散热基板上的LED芯片，其特征在于，所述散热基板包括底座，所述底座表面固定有至少一层由氮化铝层和金属布线层组成的复合层，所述复合层在垂直于所述底座表面的方向上开设有第一通孔，所述第一通孔内设置有与所述LED芯片并联且异相连接的外部静电保护模组。

2.根据权利要求1所述的功率型紫外LED器件，其特征在于，所述外部静电保护模组为依次横向沉积在所述第一通孔里面的n型接触层和p型接触层，或者，n型接触层、p型接触层和n型接触层。

3.根据权利要求1所述的功率型紫外LED器件，其特征在于，所述复合层包括利用导电银浆依次固定在所述底座表面的第一氮化铝层、第一金属布线层、第二氮化铝层和第二金属布线层。

4.根据权利要求3所述的功率型紫外LED器件，其特征在于，所述第一氮化铝层和所述第二氮化铝层中设置有多个贯穿其中的微型的第二通孔，且所述第二通孔里面设置有用于使不同的金属布线层实现电连接的金属层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的功率型紫外LED器件，其特征在于，所述LED芯片包括依次设置在蓝宝石材质的衬底底面上的氮化铝缓冲层、成核层、n型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN层、反射层、导电薄膜层以及包围上述各层外周部的钝化层，所述钝化层的底部向上直到所述反射层的底面开设出一个P电极，且所述钝化层的底部向上直到所述n型AlGaN层的底面开设出至少一个N电极。

6.根据权利要求5所述的功率型紫外LED器件，其特征在于，所述反射层为银层或镍铝合金层。

7.根据权利要求1-4任一项所述的功率型紫外LED器件，其特征在于，所述底座为碳化硅底座或陶瓷底座。

8.根据权利要求5所述的功率型紫外LED器件，其特征在于，所述P电极和所述N电极均为锑铝合金电极。