[实用新型]一种在刷新时进行ECC编码的动态随机存取存储器

说明书

本实用新型涉及一种在刷新时进行ECC编码的动态随机存取存储器。在所述动态随机存取存储器中，在对DRAM进行刷新的同时，根据标志位是否为初始值来判定是否对数据进行编码。所述ECC编码模块仅在所述标志位设定和检测模块生成一个使能信号的情况下对数据进行编码。所述DRAM的优点在于可以保证用于ECC编码的有效数据的长度符合ECC编码的要求。

技术领域

本实用新型涉及存储器领域，具体地涉及在刷新时进行ECC编码的动态随机存取存储器，更具体地涉及一种用于DRAM的ECC编码方法以及一种DRAM。

背景技术

DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器，其是一种易失性存储器。

对于DRAM来说，在数据存储的过程中数据常常会出现错误，因此需要错误检测和纠正技术来保证数据存储的正确性。ECC(Error Correct ion Code纠错码)利用在一定长度数据位的基础上增加监督位来检测和纠正出错的数据。包含ECC功能的DRAM的常规读写过程如图1和图2所示。

图1示意性地描述了DRAM的数据写入过程。其中数据阵列用来存储数据，ECC阵列用来存储ECC位，即监督位。当N位数据从外部源写入存储器时，存储器会通过ECC编码电路用此N位数据产生M位监督位，N位数据和M位监督位会被暂时数据锁存，然后通过写驱动一起被写入相应的存储阵列，即N位数据存储于数据阵列中，M位监督位存储于ECC阵列中。其中数据长度N大于0，并小于等于存储器进行一次读写操作的数据长度。监督位长度M大于0，其值由所选取的 ECC算法所决定。应注意，数据阵列、ECC阵列以及ECC编码电路都位于存储器内部，存储器内还包括在此未示出的其他部件。

图2示意性地描述了DRAM的数据读取过程。N位数据和M位监督位被从各自的存储阵列中读取，经第二级灵敏放大器放大后被暂时数据锁存，然后送到ECC纠错模块，ECC纠错模块可以对错误进行检测和纠正，并输出纠正后的N位数据。

从图1的数据写入过程可知道，在ECC编码模块产生M位监督位时，需要数据长度为N的数据位，这是由所选取的ECC算法决定的。但对于存储器来说，输入进的N位数据并不是都能用来进行ECC编码。也就是说，输入数据中对编码有效的数据的数据长度并不是一成不变的，其中对编码有效的数据指的是可以被用于产生监督位的数据。例如，DRAM的规范里就规定当存在数据屏蔽(data-mask)或者突发突变模式(burst chop mode)时，N位输入数据中有若干位不能用于ECC 编码，其对编码有效的数据的数据长度就会改变，使得该数据长度小于N。又例如，对于不同数据长度的结构，例如X4，X8，X16等模式，其对编码有效的数据的数据长度也会随着外部的控制而变化，使得对编码有效的数据的数据长度不等于N。但是一旦选定ECC算法，其对应的ECC编码模块所需要的数据长度就是一定的，因此在对编码有效的数据的数据长度变化的情况下则不能顺利产生ECC位。

现有技术中的一种解决方法是在这些可能遇到的所有限制条件里面找到一个最小数据长度，并根据这个最小数据长度选择ECC的算法，这样就能支持所有模式。如果这个最小数据长度是8，即使是对于最高效的汉明码来说，最少也需要4位的监督位，这会增加至少50％的存储面积去存储ECC的监督位，使得存储器的成本大大增加，并降低了ECC算法选取的灵活性和高效性。

如果为了不增加写操作的功耗，或者不影响到写操作的时序，或者因任何原因使得在写操作的时候不进行ECC编码，用传统的方法就不能实现ECC功能。

因此，需要一种新的ECC编码方法来解决上述问题。

实用新型内容

根据本实用新型的第一方面，提供了一种对DRAM进行ECC编码的方法，其中该DRAM包括存储阵列，所述方法包括：