[实用新型]一种快速回写电路有效

专利信息
申请号: 201720549256.7 申请日: 2017-05-17
公开(公告)号: CN206921478U 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 亚历山大 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司11285 代理人: 郑建晖,钟守期
地址: 710075 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 快速 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种快速回写电路和方法。更具体而言,本实用新型涉及一种基于DRAM的第二级灵敏放大器的快速回写电路和方法。

背景技术

在执行读操作时的回写,尤其是在执行连续读操作中的第一个读操作时的回写,对以下的情况非常有帮助:

1.由于tRCD(Time of RAS to CAS Delay)非常关键,所以在发生第一次读操作正确,而对同一地址的第二次读操作却错误的情况。

2.高温下的无缝读操作,以及位线BL电压比列选信号CSL或者预充均衡信号的电压低很多的情况,都会加重错误发生的可能性。

3.即使tRCD的值在规范的要求之内,但性能较弱的第一级灵敏放大器也会导致第一次读操作正确,而对同一地址的第二次读操作却发生错误的情况。

在本实用新型的发明人的专利“一种优化tRCD参数的方法”中提出了一种在读操作的时候回写以优化tRCD参数的方法,而本实用新型在此基础上,通过修改第二级灵敏放大器得到一种更快的更有可行性的方案。

实用新型内容

根据本实用新型的第一方面,提供了一种快速回写电路,包括:

第一级灵敏放大器,对数据进行放大,并且将经放大的数据传送到局部数据线上;

第二级灵敏放大器,对所述经放大的数据进行进一步放大;

回写模块,将所述进一步放大的数据写回局部数据线上,从而写回第一级灵敏放大器。

根据本实用新型的第一方面的快速回写电路更快且更具有可行性。

根据本实用新型的快速回写电路的一个优选实施方案,所述第二级灵敏放大器还具有锁存功能,对所述经放大的数据进行进一步放大且锁存。

根据本实用新型的快速回写电路的一个优选实施方案,所述回写模块将所述进一步放大且锁存的数据写回局部数据线上。

根据本实用新型的快速回写电路的一个优选实施方案,所述回写模块还具有锁存功能,对所述进一步放大的数据进行锁存。

根据本实用新型的快速回写电路的一个优选实施方案,当回写使能信号有效时,所述回写模块将所述进一步放大的数据写回局部数据线上。

根据本实用新型的快速回写电路的一个优选实施方案,当所述回写使能信号无效时,禁止所述回写模块将所述进一步放大的数据写回局部数据线上。

根据本实用新型的快速回写电路的一个优选实施方案,通过第二级灵敏放大器的输出信号来控制是否将所述进一步放大的数据写回局部数据线上。

根据本实用新型的快速回写电路的一个优选实施方案,所述回写模块将所述进一步放大的高电平数据、低电平数据或者中间电平数据写回局部数据线上。

根据本实用新型的快速回写电路的一个优选实施方案,所述回写模块仅将所述进一步放大的低电平数据写回局部数据线上。

根据本实用新型的快速回写电路的一个优选实施方案,所述第二级灵敏放大器为相互连接的两个反相器,所述两个反相器为第一反相器和第二反相器,所述第一反相器的输入连接至所述第二反相器的输出,所述第一反相器的输出连接至所述第二反相器的输入。

根据本实用新型的快速回写电路的一个优选实施方案,所述第一反相器和所述第二反相器的输入分别连接至一对局部数据线即分别连接至第一局部数据线和第二局部数据线,并且分别连接至同一控制信号,以及分别连接至第一组串联的N沟道场效应管的第一栅极和第二组串联的N沟道场效应管的第一栅极,其中所述同一控制信号能够关断或者接通所述第一反相器的输入与第一局部数据线以及所述第二反相器的输入与第二局部数据线之间的通路,所述第一组串联的N沟道场效应管的第一漏极还连接至所述第二局部数据线,且所述第二组串联的N沟道场效应管的第一漏极还连接至所述第一局部数据线,所述第一组串联的N沟道场效应管的第二栅极和第二组串联的N沟道场效应管的第二栅极还分别连接至回写使能信号,其中当开始读操作时,所述同一控制信号接通所述第一反相器的输入与第一局部数据线以及所述第二反相器的输入与第二局部数据线之间的通路,并且当所述第二级灵敏放大器能够放大正确的数据时,所述同一控制信号关断所述第一反相器的输入与第一局部数据线以及所述第二反相器的输入与第二局部数据线之间的通路,其中

当列选信号有效时,在所述第二级灵敏放大器对数据进行放大后,开启回写使能信号,将所述进一步放大的数据写回局部数据线上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安紫光国芯半导体有限公司,未经西安紫光国芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720549256.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top