[实用新型]一种高速VCSEL激光器外延结构有效
| 申请号： | 201720568498.0 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN207217999U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 单智发 | 申请（专利权）人： | 苏州全磊光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高速 vcsel 激光器 外延 结构 | ||
1.一种高速VCSEL激光器外延结构，包括GaAs衬底（01），在GaAs衬底（01）上依次采用MOCVD沉积GaAs 缓冲层（02）、N型掺杂的DBR（03）、有源层（04）、氧化限制层（05）、P型掺杂的DBR（06）和欧姆接触层（07），其特征在于：所述氧化限制层（05）由多个Ga组分跳变的Al1-xGaxAs外延层组成，其中X为Ga元素的组分。
2.根据权利要求1所述的一种高速VCSEL激光器外延结构，其特征在于：所述多个Al1-xGaxAs外延层中中间层的Ga组分最小，最下层的Ga组分最大。
3.根据权利要求2所述的一种高速VCSEL激光器外延结构，其特征在于：所述氧化限制层（05）由下至上包括Ga组分为5% 的Al0.95Ga0.05As外延层（10）、Ga组分为3% 的Al0.97Ga0.03As外延层（11）、Ga组分为2% 的Al0.98Ga0.02As外延层（12)、Ga组分为3% 的Al0.97Ga0.03As外延层（13）和Ga组分为5% 的Al0.95Ga0.05As外延层（14）。
4.根据权利要求1所述的一种高速VCSEL激光器外延结构，其特征在于：所述氧化限制层（05）的中间外延层的Ga组分为2%、厚度为10nm，最下层、最上层的外延层的Ga组分为5%、厚度为5nm，最下层、最上层的外延层与中间外延层之间的外延层Ga组分为2-5%，厚度为3-8nm。
5.根据权利要求4所述的一种高速VCSEL激光器外延结构，其特征在于：所述氧化限制层（05）由下至上包括5nm Ga组分为5% 的Al0.95Ga0.05As外延层（10）、5nm Ga组分为3% 的Al0.97Ga0.03As外延层（11）、10nm Ga组分为2% 的Al0.98Ga0.02As外延层（12)、5nm Ga组分为3% 的Al0.97Ga0.03As外延层（13）和5nm Ga组分为5% 的Al0.95Ga0.05As外延层（14）。
6.根据权利要求1所述的一种高速VCSEL激光器外延结构，其特征在于：所述有源层（04）采用GaAs/AlGaAs MQW。
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