[实用新型]具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaNHEMT元胞结构

权利要求书

1.具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaN HEMT元胞结构，其特征在于，包括衬底和依次向上生长的AlN隔离层、GaN缓冲层、沟道层和AlGaN势垒层；所述衬底与所述AlN隔离层之间还依次生成有AlN层和石墨烯掩埋散热层；源极设置在所述石墨烯掩埋散热层上与石墨烯掩埋散热层连接，栅极与漏极之间设置有纵向沟道。

2.如权利要求1所述的具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaN HEMT元胞结构，其特征在于，所述AlN层厚度为1至100纳米之间。

3.如权利要求1所述的具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaN HEMT元胞结构，其特征在于，所述石墨烯掩埋散热层厚度在1至100纳米之间。

4.如权利要求1所述的具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaN HEMT元胞结构，其特征在于，所述纵向沟道中栅介质层的厚度为10-50纳米。

5.如权利要求1所述的具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaN HEMT元胞结构，其特征在于，所述源极的金属材料采用溅射、ALD或者CVD中一种方法生长。

6.如权利要求1所述的具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaN HEMT元胞结构，其特征在于，其中所述源极的金属材料为钛、镍、金或钨中的一种。

7.如权利要求1所述的具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaN HEMT元胞结构，其特征在于，所述纵向沟道中栅极介质层材料为二氧化硅、氮化硅、氧化铝以及氧化铪中的一种，介质层生长方法采用ALD、LPCVD、PECVD、PLD、MOCVD、电子束蒸发以及溅射中一种方法生长。