[实用新型]一种刺激响应柔性微电极阵列有效

专利信息
申请号: 201720573335.1 申请日: 2017-05-22
公开(公告)号: CN207091329U 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 杜学敏;崔欢庆 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: C08F220/54 分类号: C08F220/54;C08F222/38;C08F220/28;C08F220/06;C08L33/24;C08L33/14;C08L33/12;C08L5/12;C08K3/08;C08K3/22;C08K3/04;C08K7/24;A61N1/05
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司44202 代理人: 郝传鑫,熊永强
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 刺激 响应 柔性 微电极 阵列
【权利要求书】:

1.一种刺激响应柔性微电极阵列,其特征在于,包括柔性基底,设置在所述柔性基底一侧的电极结构,以及设置在所述柔性基底另一侧的刺激响应层,所述刺激响应层为可变形的刺激响应材料层。

2.如权利要求1所述的刺激响应柔性微电极阵列,所述可变形的刺激响应材料层为可变形的热响应材料层、光热响应材料层、磁热响应材料层、电热响应材料层、湿度响应材料层或pH响应材料层。

3.如权利要求1所述的刺激响应柔性微电极阵列,所述刺激响应层具有局部杨氏模量差异,所述刺激响应柔性微电极阵列在温度、光、磁、电、湿度、pH外界刺激条件下,可由平面二维结构转变成三维结构。

4.如权利要求3所述的刺激响应柔性微电极阵列,所述局部杨氏模量差异的差异程度在0.0001Pa-2000Gpa范围内。

5.如权利要求1所述的刺激响应柔性微电极阵列,所述柔性基底的厚度为1μm-5mm。

6.如权利要求1所述的刺激响应柔性微电极阵列,所述刺激响应层的厚度为1μm-1cm。

7.如权利要求1所述的刺激响应柔性微电极阵列,所述柔性基底为聚酰亚胺基底、聚对二甲苯基底或聚二甲基硅氧烷基底。

8.如权利要求1所述的刺激响应柔性微电极阵列,所述刺激响应层中设置有定向排列的微结构,所述微结构包括凹坑、凸起或微纳米材料,所述微纳米材料包括石墨烯、碳纳米管、玻璃纤维、纳米颗粒中的至少一种。

9.如权利要求8所述的刺激响应柔性微电极阵列,所述凹坑的深度为10nm-5cm,所述凸起的高度为10nm-5cm。

10.如权利要求1所述的刺激响应柔性微电极阵列,所述刺激响应层通过表面化学接枝或物理涂覆的方式形成在所述基底表面。

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