[实用新型]导体结构及电容器阵列有效

专利信息
申请号: 201720583445.6 申请日: 2017-05-24
公开(公告)号: CN207038196U 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 伍荣翔;方向明 申请(专利权)人: 成都线易科技有限责任公司;电子科技大学
主分类号: H01B5/02 分类号: H01B5/02;H01G4/005
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 代理人: 王宁宁
地址: 610213 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 导体 结构 电容器 阵列
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电气元件领域,具体而言,涉及一种导体结构及电容器阵列。

背景技术

差分信号的传输具有抗干扰能力强、传输速率高、功耗低的技术优势,在工业数据总线、数据接口、数字隔离器等领域有着广泛的应用。

差分信号的产生、传输和接收通常使用具有对称性的电路和布线进行,从而保证整个信号路径的抗干扰能力。在隔离信号传输中,常采用一对电容器传输一组差分信号的正负分量,所以,可以通过电容器的极板本身具有对称性来提高抗干扰能力和共模信号抑制能力。但随着系统复杂度的增加,元件的数量和密度不断增加,因此很多差分信号的金属布线不容易做到本身的对称以及两组金属布线对称分布,在这种情况下,邻近导体上的信号会耦合到该金属布线结构从而产生干扰信号。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型提供了一种导体结构及电容器阵列,以改善现有的导体结构由于集成系统复杂使导体结构不能对称设置,导致的邻近导体上的信号耦合到该导体结构从而产生干扰信号的不足。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

一种导体结构,包括:第一导体和第二导体,所述第一导体与第二导体位于同一平面内,所述第一导体包括第一主体和多个第一延伸部,所述第二导体包括第二主体和多个第二延伸部,所述多个第一延伸部均与所述第一主体连接,所述多个第二延伸部均与所述第二主体连接;所述第一延伸部向所述第二主体延伸,所述第二延伸部向所述第一主体延伸,以所述第一主体以及第二主体的中线为界,所述第一延伸部靠近第二主体的一端的面积大于所述第一延伸部靠近第一主体的一端的面积,所述第二延伸部靠近所述第一主体的一端的面积大于所述第二延伸部靠近第二主体的一端的面积。

一种电容器阵列,包括第一电容器和第二电容器,所述第一电容器包括第一上极板和第一下极板,所述第一上极板以及第一下极板均与上述的导体结构中的第一导体的结构相同,所述第二电容器包括第二上极板和第二下极板,所述第二上极板以及第二下极板均与上述的导体结构中的第二导体的结构相同。

本实用新型实施例提供的导体结构及电容器阵列的有益效果为:

本实用新型实施例提供的导体结构及电容器阵列包括第一导体和第二导体,第一导体和第二导体位于同一平面内,第一导体包括第一主体和多个第一延伸部,第二导体包括第二主体和多个第二延伸部。多个第一延伸部均与第一主体连接,第一延伸部向第二主体延伸;多个第二延伸部均与第二主体连接,第二延伸部向第一主体延伸。以第一主体以及第二主体的中线为界,第一延伸部靠近第二主体的一端的面积大于第一延伸部靠近第一主体的一端的面积,第二延伸部靠近第一主体的一端的面积大于第二延伸部靠近第二主体的一端的面积。对于该导体结构一侧的干扰导体而言,第一导体和第二导体通过各自的延伸部使得远离干扰导体的导体的重心更靠近干扰导体,靠近干扰导体的导体的重心更远离干扰导体,从而起到即使第一导体和第二导体在物理上不关于干扰导体对称,但干扰导体分别在第一导体和第二导体产生的耦合信号与关于干扰导体对称的导体上的耦合信号相似的效果,从而使得结构上不能对称的导体结构同样可以产生共模信号,从而容易被差分信号检测端口过滤。

附图说明

为了更清楚的说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型第一实施例提供的导体结构的结构示意图;

图2a是本实用新型第一实施例提供的导体结构的一种具体使用场景的示意图;

图2b是本实用新型第一实施例提供的导体结构的性能曲线图;

图3a是本实用新型第一实施例提供的导体结构的一种具体实施方式的结构示意图;

图3b是本实用新型第一实施例提供的导体结构的另一种具体实施方式的结构示意图;

图3c是本实用新型第一实施例提供的导体结构的又一种具体实施方式的结构示意图;

图3d是本实用新型第一实施例提供的导体结构的再一种具体实施方式的结构示意图;

图4a是本实用新型第一实施例提供的导体结构的还一种具体实施方式的结构示意图;

图4b是本实用新型第一实施例提供的导体结构的次一种具体实施方式的结构示意图;

图5是本实用新型第二实施例提供的电容器阵列的结构示意图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都线易科技有限责任公司;电子科技大学,未经成都线易科技有限责任公司;电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720583445.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top