[实用新型]具有保护环的光刻板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种具有保护环的光刻板，属于半导体技术领域。

背景技术

在GPP或相关需要光刻的产品制备过程中，如图3为目前常用的光刻板，用这种常用的光刻板刻出的硅片边缘为一般的沟槽；硅片边缘的不合格情况目测不易被发现，带有这种边缘缺陷的硅片在进行电性测试时有严重的打火现象，且因靠近硅片边，最外圈的晶粒电性成品率极低。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种具有保护环的光刻板，使用该光刻板刻出的硅片，其边缘不合格缺陷目测易看出，硅片带有保电性，不易打火。

为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种具有保护环的光刻板，包括光刻板本体和设置在光刻板本体最外圈的保护环，所述保护环紧密围在光刻板本体的外部边缘处并将内部的光刻板本体围起，所述保护环上具有圆型开孔、直角型开孔与直线型开孔，所述直角型开孔设置在光刻板本体的转角处，所述直线型开孔设置在光刻板本体的水平边缘与竖直边缘，所述圆型开孔设置在直角型开孔与直线型开孔的连接处。

进一步，所述直角型开孔与直线型开孔的两端均具有圆弧边缘。

采用了上述技术方案后，本实用新型在光刻板本体的外部边缘增设一保护环，保护环具有多种开孔，以便在保护环处的硅片的边缘处刻出晶粒，将光刻板本体处的硅片保护起来，硅片边缘刻出晶粒后，边缘的不合格情况通过目测可以清楚看出，能有效防止混料情况；利用本实用新型刻出的硅片，在高压测试时，能防止漏电打火，安全性能具有较大提高；利用本实用新型刻出的硅片，最边缘一圈的晶粒的电性成品率大幅提高，达到50％以上；因最外圈的晶粒电性稳固，图形可以做到硅片的最边缘，无形中单片晶粒数增加了近200粒；同时，本实用新型可适用于不同规格尺寸大小的晶粒光刻板使用，单片出率增加4％。

附图说明

图1为本实用新型具有保护环的光刻板的整体结构示意图；

图2为本实用新型具有保护环的光刻板的局部结构放大图；

图3为传统光刻板的局部结构放大图；

图中，1、光刻板本体，2、保护环，3、圆型开孔，4、直角型开孔，5、直线型开孔。

具体实施方式

为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明。

如图1、图2所示，一种具有保护环的光刻板，包括光刻板本体1和设置在光刻板本体1最外圈的保护环2，所述保护环2紧密围在光刻板本体1的外部边缘处并将内部的光刻板本体1围起，所述保护环2上具有圆型开孔3、直角型开孔4与直线型开孔5，所述直角型开孔4设置在光刻板本体1的转角处，所述直线型开孔5设置在光刻板本体1的水平边缘与竖直边缘，所述圆型开孔3设置在直角型开孔4与直线型开孔5的连接处。

优选地，如图1、图2所示，所述直角型开孔4与直线型开孔5的两端均具有圆弧边缘。

本实用新型在光刻板本体1的外部边缘增设一保护环2，保护环2具有多种开孔，以便在保护环2处的硅片的边缘处刻出晶粒，将光刻板本体1处的硅片保护起来，硅片边缘刻出晶粒后，边缘的不合格情况通过目测可以清楚看出，能有效防止混料情况；利用本实用新型刻出的硅片，在高压测试时，能防止漏电打火，安全性能具有较大提高；利用本实用新型刻出的硅片，最边缘一圈的晶粒的电性成品率大幅提高，达到50％以上；因最外圈的晶粒电性稳固，图形可以做到硅片的最边缘，无形中单片晶粒数增加了近200粒；同时，本实用新型可适用于不同规格尺寸大小的晶粒光刻板使用，单片出率增加4％。

以上所述的具体实施例，对本实用新型解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。