[实用新型]电子器件有效
申请号: | 201720588195.5 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN206877990U | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | D·奥彻雷;A·哈吉;F·奎尔恰;J·洛佩 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/58;H01L23/49;H01L21/60;H01L21/48 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华,张昊 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子器件 | ||
优先权要求
本申请要求于2016年11月3日提交的第1660622号法国专利申请的优先权权益,该申请的公开内容通过引用以其全文结合在此。
技术领域
实施例涉及电子器件领域并且更具体地涉及包括安装在载体衬底上的电子芯片以及将芯片连接至载体衬底的电连接线的那些电子器件,该载体衬底包括电连接网络或引线框。
背景技术
在电连接线尤其是以高频率传送信号的情况下,这些信号可以通过围绕电磁场而被衰减或被破坏和/或发射可能破坏周围环境的电磁场。
目前,为了应对这种问题,提出了向电子器件添加潜在地连接至地的金属屏蔽板。尽管如此,定位这类金属屏蔽板并将其电连接至地,加上制造包封块或将包封盖放置就位造成了问题并且成本很高。此外,由于所获得的屏蔽是非特定的并且位于距电连接线一定距离,因此,所获得的电磁保护水平仍然是不够的。
实用新型内容
根据一个实施例,提出了一种用于在电子芯片与载体衬底之间形成电连接的方法,此芯片安装在该载体衬底上。
该方法包括以下步骤:将至少一条电连接线置于该芯片的暴露的电连接焊盘与该载体衬底的暴露的电连接焊盘之间并且在该线的两端与这些焊盘之间形成电结;制造介电层,该介电层由在该电子芯片的以及该载体衬底的区域的顶部上的介电材料制成,包括该电连接线、这些电结和这些焊盘,使得此介电层形成局部介电涂层,该局部介电涂层至少部分地围绕该电连接线并且至少部分地覆盖这些电结和这些焊盘;以及制造局部导电屏蔽,该局部导电屏蔽由导电材料制成、至少部分地覆盖该局部介电涂层。
可以通过分配确定量的液体状态下的该介电材料以及使此介电材料硬化来获得包括该局部介电涂层的该介电层。
可以借助于溅射来分配该介电材料。
可以通过分配确定量的液体状态下的导电材料以及使此导电材料硬化来获得该局部导电屏蔽。
可以借助于包括分注注射器的控制工具来分配该导电材料。
可以制造该局部介电涂层以完全围绕该电连接线并完全覆盖这些焊盘和这些结,并且可以制造该局部导电屏蔽以完全覆盖该局部介电涂层。
该方法可以附加地包括以下步骤:在该电子芯片的以及该载体衬底的附加电连接焊盘之上的该介电层中制造开口;将附加电连接线置于这些附加焊盘之间并且在该附加线的两端与这些附加焊盘之间形成电结;以及制造该局部导电屏蔽使得此局部导电屏蔽与该附加电连接线和/或与这些附加焊盘中的至少一个附加焊盘相接触。
还提出了一种电子器件,该电子器件包括:载体衬底;电子芯片,该电子芯片安装在该载体衬底上;至少一条电连接线,该至少一条电连接线连接该载体衬底的电连接焊盘和该电子芯片的电连接焊盘;介电层,该介电层由在该电子芯片的以及该载体衬底的区域的顶部上的介电材料制成,包括该电连接线、这些结和这些焊盘,使得此介电材料形成局部介电涂层,该局部介电涂层至少部分地围绕该电连接线并且至少部分地覆盖这些结和这些焊盘;以及局部导电屏蔽,该局部导电屏蔽由导电材料制成、至少部分地覆盖该局部介电涂层。
该局部介电涂层可以完全围绕该电连接线并且完全覆盖这些焊盘和这些结,并且该局部导电屏蔽可以完全覆盖该局部介电涂层。
该器件可以包括至少一条附加电连接线,该至少一条附加电连接线连接该载体衬底的电连接焊盘和该电子芯片的附加电连接焊盘,该局部导电屏蔽与该附加电连接线和/或与这些电连接焊盘中的至少一个电连接焊盘相接触。
附图说明
现在将以附图所展示的非限制性示例的方式描述电子器件和制造模式,在附图中:
图1表示制造过程中的电子器件在一个制造步骤中的横截面视图;
图2表示图1的电子器件的俯视图;
图3表示制造过程中的电子器件在随后的制造步骤中的横截面视图;
图4表示图3的电子器件的俯视图;
图5表示制造过程中的电子器件在随后的制造步骤中的俯视图;
图6表示制造过程中的电子器件在随后的制造步骤中的横截面视图,示出了所获得的电子器件;以及
图7表示图6的电子器件的俯视图。
具体实施方式
如在图1和图2中所展示的,电子器件1包括载体衬底2以及包括有集成电路的电子芯片3,该电子芯片的背面4借助于粘合层(未示出)固定至载体衬底2的正面5。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(格勒诺布尔2)公司,未经意法半导体(格勒诺布尔2)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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