[实用新型]一种电容耦合电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，尤其涉及一种电容耦合电路。

背景技术

电容耦合，顾名思义是指将电容相互耦合形成的电路，其作用是将前级信号尽可能无损耗地加到后级电路中，同时滤除不需要的信号。耦合电容能将交流信号从前级耦合到后级的同时隔开前级电路中的直流成分，这是因为电容具有隔直通交的特性。现有的电容耦合电路如图1所示的，两个并排的电容C1、C2的前端分别连接输入端Vin和Vip，两个电容的后端分别连接输出端Von和Vop；且两个电容的后端通过两个串联电阻R1、R2相接，且两个电阻R1、R2之间连接共模电压VCM。

在实际使用中，当前后电路的共模电压不一致时，为了较好的隔离前级直流电平失配对后级电路的影响，一般都需要耦合电路，且电路的电阻值、电容值很大。很大的电容值会需要很大的驱动电流，因此一般采用适中大小的电容，同时采用大阻值的电阻。在现有技术中电阻R1和R2通常采用poly电阻，但是poly电阻会产生较大的噪声，并且会占用很大的电路版图面积。

实用新型内容

针对现有技术中存在的电容耦合电路存在的问题，本实用新型实施例提出了一种设计更为合理的电容耦合电路。这种电容耦合电路，电容的连接方式相同，其变动在于两个串联的电阻R1、R2，这两个电阻不再是单纯的poly电阻，而是工作在线性区的PMOS管和poly电阻的组合构成。

其中，所述两个电阻R1、R2都是一个poly电阻串联一个PMOS管电阻，两个电阻之间为PMOS管来共同连接共模电压VCM。该共模电压的电压值应大于PMOS管的阈值电压值，一般为电源电压值的50％±10％，即：

VCM＝VDD×(0.5±0.1)

其中VCM为共模电压，VDD为电源电压。

其中，所述PMOS管电阻为N沟道MOS管。

其中，所述两个电阻R1、R2，不再是单纯的poly电阻，而都是工作在线性区的PMOS管和poly电阻的组合构成。

本实用新型的上述技术方案的有益效果如下：上述方案中提出了一种电容耦合电路，电容采用适中的值，减小耗电电流；大电阻采用工作在线性区的PMOS管和poly电阻的组合构成，这样的PMOS管的电阻值远大于相同尺寸的NMOS管和poly电阻，且PMOS管面积和噪声都远小于同阻值的poly电阻。采用这种组合结构可以得到更优的电容耦合电路。另外，本实用新型还可以用于数字电视芯片和系统。

附图说明

图1为现有的电容耦合电路的电路示意图；

图2为本实用新型实施例的电容耦合电路的电路示意图。

具体实施方式

为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本实用新型实施例提出了一种如图2所示的电容耦合电路，包括并排的两个电容C1和C2,其中所述两个电容C1和C2的前端分别连接输入端Vin和Vip，且两个电容C1、C2的后端分别连接输出端Von和Vop；其中所述两个电容C1、C2的输出端通过两个串联的电阻R1、R2电连接；其中，所述两个电阻R1、R2都为工作在线性区的PMOS管和poly电阻组合构成。如图2所示的，所述两个电阻的PMOS管共同连接共模电压VCM。

如图2所示的，所述PMOS管电阻的衬底接电源电压VDD，栅极接地电压VSS。其中，所述共模电压VCM的电压值大于PMOS管的阈值电压值，一般为电源电压值的50％±10％。如图2所示的，所述PMOS管电阻为N沟道MOS管。

经仿真发现，传输共模电压VCM(电压值通常在1/2电源电压VDD附近)，PMOS管的电阻值远大于相同尺寸的NMOS管；而且PMOS管电阻不需要额外的电压，只需要已有的电源VDD做衬底电压、地VSS做栅电压即可。对单纯poly电阻和单纯的PMOS电阻进行了各个coner(工艺角)后仿真对比，总的来说：poly电阻面积很大、噪声稍大，但阻值稳定些；工作在亚阈值区的PMOS管电阻面积很小、噪声稍小，但阻值随coner的变化幅度较大。在同样版图面积下，把PMOS电阻和poly电阻进行组合使用，可以得到更大的阻值，更小的噪声，而且各个coner的带宽(1/2∏RC)更加稳定，因此采用这种组合结构可以得到更优的电容耦合电路。

以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。