[实用新型]一种大电流高速高可靠性NPN型功率晶体管有效
| 申请号： | 201720591954.3 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN207068865U | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 龚利汀;龚利贞 | 申请（专利权）人： | 无锡固电半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 高速 可靠性 npn 功率 晶体管 | ||
1.一种大电流高速高可靠性NPN型功率晶体管，包括N+型衬底（9），所述N+型衬底（9）的正面设有N-型集电区（8），所述N+型衬底（9）背面设有背面金属层（10），用于引出晶体管的集电极；所述N-型集电区（8）中间形成有P型基区（7），其特征在于，所述P型基区（7）深入到N-型集电区（8）内，深度为10μm，所述P型基区（7）上连接有基极金属层（1），用于引出晶体管的基极，所述N-型集电区（8）边缘形成有N+型中止环（11），所述N+型中止环（11）深入到N-型集电区（8）内，所述P型基区（7）内设有N+型发射区（5），所述N+型发射区（5）周围设有N+型增阻环（6），所述N+型增阻环（6）设在P型基区（7）内，所述N+型发射区（5）上连接有发射极金属层（2），用于引出晶体管的发射极；所述N-型集电区（8）表面覆盖有氧化层（4），所述基极金属层（1）和发射极金属层（2）间通过氧化层（4）隔离，所述氧化层（4）上覆盖有表面钝化层（3），所述表面钝化层（3）对应P型基区（7）和N+型发射区（5）各开一个窗口，分别用于引出基极金属层（1）和发射极金属层（2）。
2.根据权利要求1所述的一种大电流高速高可靠性NPN型功率晶体管，其特征在于：N+型增阻环（6）上设有氧化层（4），N+型增阻环（6）上的氧化层（4）包裹在基极金属层（1）内。
3.根据权利要求1所述的一种大电流高速高可靠性NPN型功率晶体管，其特征在于：所述N+型发射区（5）、N+型增阻环（6）和N+型中止环（11）同时形成，且结深和掺杂浓度相同。
4.根据权利要求1所述的一种大电流高速高可靠性NPN型功率晶体管，其特征在于：所述基极金属层（1）和发射极金属层（2）为同一制造层。
5.根据权利要求1所述的一种大电流高速高可靠性NPN型功率晶体管，其特征在于：所述氧化层（4）为二氧化硅层。
6.根据权利要求1所述的一种大电流高速高可靠性NPN型功率晶体管，其特征在于：所述表面钝化层（3）为磷硅玻璃膜。
7.根据权利要求1所述的一种大电流高速高可靠性NPN型功率晶体管，其特征在于：所述基极金属层（1）和发射极金属层（2）的材料均为铝，所述背面金属层（10）的材料包括银。
8.根据权利要求1所述的一种大电流高速高可靠性NPN型功率晶体管，其特征在于：所述晶体管的面积为4.15mm*4.15mm，电流为16~18A。
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