[实用新型]IGBT保护电路和电磁炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路结构技术领域，尤其涉及一种IGBT保护电路和电磁炉。

背景技术

电磁炉具有安全、无明火、高效节能和清洁等多项优点，是常见的家庭电器设备。电磁炉的开关器件通常选用绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)。IGBT存在导通时间过长可能导致损毁的情况。因此，需要控制IGBT的导通时长。

现有电磁炉中通常通过微处理器控制IGBT的驱动电路来驱动IGBT导通或断开。但是在电磁炉上电时，微处理器无法立即工作，需较长的准备时间，微处理器的输出端口输出的信号不确定，可能为IGBT的导通信号。因此，可能导致在电磁炉上电时，驱动电路长时间驱动IGBT导通，进而导致IGBT故障。同时，当微处理器故障时，也可能导致IGBT故障。因此，现有电磁炉中微处理器控制IGBT的方式可靠性较差。

实用新型内容

为了解决背景技术中提到的至少一个问题，本实用新型提供一种IGBT保护电路和电磁炉，避免了IGBT的长时间导通，保护了IGBT。

本实用新型一方面提供一种IGBT保护电路，包括：第一电阻、第二电阻、电容、比较器、参考电压提供电路、IGBT、驱动电路和控制电路；其中，

所述驱动电路分别与所述控制电路和所述IGBT的栅极连接，所述驱动电路用于根据控制电路输入的控制信号驱动所述IGBT导通或关断；

所述第一电阻的第一端与IGBT的栅极连接，所述第一电阻的第二端分别与所述比较器的反相输入端以及所述电容的第一端连接，所述电容的第二端接地；所述参考电压提供电路与所述比较器的正相输入端连接；

所述比较器的输出端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述驱动电路连接；

所述驱动电路还用于在所述第二电阻的第二端的电压小于预设电压时，驱动所述IGBT关断。

通过在控制电路控制IGBT的导通与关断之外，增加第一电阻、第二电阻、电容和比较器，可在IGBT导通时长过长时，控制驱动电路驱动IGBT关断，从而可在控制电路故障或未正常工作时，避免IGBT的长时间导通，保护了IGBT。

如上所述的IGBT保护电路，所述驱动电路包括电平转换电路和推挽驱动电路；

所述电平转换电路分别与所述控制电路和所述推挽驱动电路连接；所述第二电阻的第二端与所述推挽驱动电路的输入端连接；

所述推挽驱动电路用于在所述第二电阻的第二端的电压小于预设电压时，驱动所述IGBT关断。

通过采用推挽驱动电路，使得IGBT保护电路结构简单，成本较低。

如上所述的IGBT保护电路，所述推挽驱动电路包括第一三极管和第二三极管；

所述第一三极管的集电极与电源连接，所述第一三极管的发射极与所述第二三极管的发射极连接，所述第二三极管的集电极接地，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极均与所述第二电阻的第二端连接。

如上所述的IGBT保护电路，所述电平转换电路包括：第三电阻和第三三极管；

所述第三电阻的第一端与所述电源连接，所述第三电阻的第二端分别与所述第一三极管的基极，以及所述第三三极管的集电极连接；

所述第三三极管的基极与所述控制电路连接，所述第三三极管的发射极接地。

通过采用电平转换电路，可避免控制电路与推挽驱动电路工作电压不一致，导致的控制电路无法直接向推挽驱动电路提供输入电压的情况。

如上所述的IGBT保护电路，还包括第四电阻；

所述控制电路通过所述第四电阻与所述第三三极管的基极连接。

通过增加第四电阻，可限制流入控制电路的输出端口的电流，保护了控制电路。

如上所述的IGBT保护电路，还包括第五电阻；

所述第五电阻的第一端与所述第一电阻的第一端连接，所述第五电阻的第二端与所述IGBT的栅极连接。

通过增加第五电阻，限制了流入IGBT的栅极的电流，保护了IGBT。

如上所述的IGBT保护电路，所述第一三极管和所述第三三极管为NPN型三极管，所述第二三极管为PNP型三极管。

本实用新型实施例另一方面还提供一种电磁炉，包括：如上所述的IGBT保护电路、整流滤波电路和谐振电路。

所述谐振电路的第一端与所述IGBT的集电极连接，所述谐振电路的第二端通过所述整流滤波电路与市电电源连接，所述IGBT的发射极通过所述整流滤波电路与市电电源连接。