[实用新型]一种增强散热性能的IC封装结构有效
申请号: | 201720594071.8 | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN206819986U | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 彭志文;凡会建 | 申请(专利权)人: | 苏州普福斯信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/367 |
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地址: | 215024 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增强 散热 性能 ic 封装 结构 | ||
1.一种增强散热性能的IC封装结构,包括IC芯片,其特征在于,所述IC芯片包括基板,长方形祼晶,多排均匀分布在基板底面的锡球和树脂塑封壳体,所述祼晶设置在基板的上方且长方形祼晶的一侧或多侧设有键合线,其通过键合线连接在基板上,所述树脂塑封壳体设在基板上且长方形祼晶封装在树脂塑封壳体内,所述树脂塑封壳体的顶面设有多排突起的凸块条,所述多排凸块条之间设有沟槽,所述多排凸块条均包括了多个长方形凸块,所述多个长方形凸块之间呈等距离间隔设置且形成了长方形槽体。
2.如权利要求1所述的增强散热性能的IC封装结构,其特征在于,所述多个长方形凸块在每排凸块条至少设有九个,从左至右分别为第一至第九凸块。
3.如权利要求1所述的增强散热性能的IC封装结构,其特征在于,所述多排均匀分布在基板底面的锡球均包括多个半圆形的锡球。
4.如权利要求3所述的增强散热性能的IC封装结构,其特征在于,所述多个半圆形的锡球在每排至少设有七个,所述七个半圆形的锡球之间的间距相等,从左至右分别为第一至第六锡球。
5.如权利要求1或3或4所述的增强散热性能的IC封装结构,其特征在于,所述锡球包括有铅锡球和无铅锡球。
6.如权利要求1所述的增强散热性能的IC封装结构,其特征在于,所述长方形祼晶封装在基板的中间位置,其位于第二凸块与第六凸块的下方和第二锡球与第五锡球的上方。
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