[实用新型]一种高稳定性的集成光路结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成光路技术领域，尤其是涉及一种高稳定性的集成光路结构。

背景技术

集成光路是在晶圆上用光刻方法制成的光波通道结构。通过不同的集成光路的设计可以实现对光波的控制和操作，如功率分配、波长分配、开关、衰减等。集成光路结构的几何结构对性能有很大影响，其几何形貌必须尽量与设计相同。然后，在制程过程中，由于集成光路结构会经历高温等严苛过程，其几何形貌有可能会发生畸变。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种防止光路变形的高稳定性的集成光路结构。

为实现上述目的，本实用新型提供的方案为：一种高稳定性的集成光路结构，包括基体，所述基体通过刻蚀工艺形成在基体上成形有若干条光路，并通过刻蚀工艺在光路两侧分别成形有保护带，所述保护带与光路之间的间隙为5～200μm用于防止光路在工作过程中变形，所述光路的上方以及光路与保护带之间均设置有外包层以防止光路发出的光泄露；后期的高温处理中，光路、保护带以及外包层都处于半流动状态，保护带的存在有利于保护高温下光路的结构使之能保持原有的形貌。

进一步地，所述刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺。

本方案的有益效果为：防止光路变形，在本方案中，通过特定的设计和刻蚀工艺，使刻蚀光路的同时也会在光路的两侧成形有保护带，同时由于保护带与光路之间的缝隙较小，使光路后续生产过程中即使经历高温变形，而由于受保护带的限制，使光路变形较小甚至可看作没有变形，如此防止了集成光路结构发生畸变现象。

附图说明

图1为本实用新型的结构图。

图2为本实用新型的加工过程图。

其中1为基体，11为光路，12为保护带，2为外包层。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型作进一步说明：

参见附图1所示，一种高稳定性的集成光路结构，包括基体1，基体1通过刻蚀工艺形成在基体1上成形有若干条光路11（光路沿水平方向排布），并通过刻蚀工艺在光路两侧分别成形有保护带12（具体地，在光路11水平方向的两侧分别成形有保护带12，且保护带12与光路11的高度相同），保护带12与光路11之间的间隙为5～200μm以防止光路11在工作过程中发热变形，光路11的上方以及光路11与保护带12之间均设置有外包层2以防止光路11发出的光泄露；在后期的高温处理中，光路11、保护带12以及外包层2都处于半流动状态。保护带12的存在有利于保护高温下光路11的结构使之能保持原有的形貌。

其中，刻蚀工艺为CVD工艺或PVD工艺或干法刻蚀工艺，在刻蚀出光路11的过程的同时也刻蚀出保护带12。

参见附图2所示，本实施例的加工过程：导入一基体1，然后通过干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺在基体1的上表面刻蚀出光路11与在光路11两侧的保护带12，刻蚀完后，在光路11上方以及光路11和保护带12之间的上方覆盖外包层2。

以上所述之实施例仅为本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型做任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，利用上述揭示的技术内容对本实用新型技术方案作出更多可能的变动和润饰，或修改均为本实用新型的等效实施例。故凡未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型之思路所作的等同等效变化，均应涵盖于本实用新型的保护范围内。