[实用新型]测试结构有效

专利信息
申请号: 201720607616.4 申请日: 2017-05-26
公开(公告)号: CN206774539U 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 张沥文;宋永梁 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 屈蘅,李时云
地址: 300385 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 测试 结构
【权利要求书】:

1.一种测试结构,其特征在于,所述测试结构为位于层间介质中的金属测试结构,所述测试结构包括:

第一测试结构,所述第一测试结构包括第一层导线、第二层导线和若干段层间导线,所述第一层导线包括各自断开的若干段第一导线段,所述第二层导线包括各自断开的若干段第二导线段,通过若干段所述层间导线将若干段所述第一导线段和若干段所述第二导线段连接在一起,且形成所述第一导线段与所述第二导线段交替连接的曲折导线;

第二测试结构,所述第二测试结构沿所述第一测试结构的伸展方向分布在所述第二层导线一侧。

2.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述第一测试结构呈栅栏状的曲折导线,所述第二测试结构呈梳状导线,所述第二测试结构的梳条分布在所述第一测试结构的栅栏之间。

3.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述层间导线垂直于所述第一层导线所在层,且所述层间导线垂直于所述第二层导线所在层。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的测试结构,其特征在于,所述第二测试结构与所述第二层导线之间的距离为0.032um~0.07um。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的测试结构,其特征在于,所述第一导线段的长度为0.3um~8um;所述第二导线段的长度为0.3um~8um。

6.根据权利要求1至3中任意一项所述的测试结构,其特征在于,所述第一导线段的长度与所述第二导线段的长度相等。

7.根据权利要求1至3中任意一项所述的测试结构,其特征在于,所述第一导线段的线宽为0.032um~2um,所述第二导线段的线宽为0.032um~2um。

8.根据权利要求1至3中任意一项所述的测试结构,其特征在于,所述第二测试结构的线宽为0.032um~2um。

9.根据权利要求1至3中任意一项所述的测试结构,其特征在于,所述第二测试结构的线宽与所述第二导线段的线宽相等。

10.根据权利要求1至3中任意一项所述的测试结构,其特征在于,所述层间导线的长度为0.07um~0.09um。

11.根据权利要求1至3中任意一项所述的测试结构,其特征在于,所述层间导线的线宽小于等于所述第一导线段的线宽,所述层间导线的线宽小于等于所述第二导线段的线宽。

12.根据权利要求1至3中任意一项所述的测试结构,其特征在于,所述第一测试结构的两末端各设置有一测试衬垫;所述第二测试结构上设置有一测试衬垫。

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