[实用新型]一种裸芯片强度高的埋入式电路板有效

专利信息
申请号: 201720612794.6 申请日: 2017-05-30
公开(公告)号: CN206977805U 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 邹时晨 申请(专利权)人: 邹时晨
主分类号: H05K1/18 分类号: H05K1/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518055 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 强度 埋入 电路板
【权利要求书】:

1.一种裸芯片强度高的埋入式电路板,其特征在于,所述电路板内埋入有裸芯片,所述裸芯片包括基体层和设置于基体层两侧的铝电极和非铝电极,所述基体层设置有纵横交错的加强筋;

电路板的至少一部分电路与所述铝电极或非铝电极连通。

2.如权利要求1所述埋入式电路板,其特征在于,所述基体层的2根以上的加强筋从所述基体层的中部向周侧的外部伸出呈支撑臂状。

3.如权利要求2所述埋入式电路板,其特征在于,所述加强筋为金属或金属氧化物制成的加强筋。

4.如权利要求2所述埋入式电路板,其特征在于,所述铝电极至少包括三层金属层:底层铝层、中间金层、上层铝层,所述中间金层位于中间层,所述中间金层的厚度在5um以上。

5.如权利要求4所述埋入式电路板,其特征在于,所述中间金层与底层铝层和上层铝层的交界面分别设置有凹凸度为1~2um的凹坑和凸起,所述铝层的铝和金层的金交错填平所述凹坑和凸起;

所述中间金层与所述上层铝层交界处的金的晶粒直径为5~100nm,其中,晶粒直径为5~10nm的晶粒的体积分数在3%以上;

所述中间金层与所述底层铝层交界处的铝的晶粒直径为15~100nm,其中,晶粒直径为10~15nm的晶粒的体积分数在5%以上。

6.如权利要求5所述埋入式电路板,其特征在于,所述中间金层与所述上层铝层交界处的厚度为2~2.5um。

7.如权利要求6所述埋入式电路板,其特征在于,所述裸芯片嵌入所述电路板的芯材的通孔内,所述通孔周侧开设有槽,所述呈支撑臂状的加强筋设置于所述槽内。

8.如权利要求7所述埋入式电路板,其特征在于,所述裸芯片与所述通孔的周侧的间隙为30~100um;所述裸芯片与所述通孔的周侧的间隙填充有电镀铜。

9.如权利要求8所述埋入式电路板,其特征在于,所述呈支撑臂状的加强筋与所述槽的周侧的间隙为30~100um;所述呈支撑臂状的加强筋与所述槽的周侧的间隙填充有电镀铜。

10.根据权利要求6所述埋入式电路板,其特征在于,所述非铝电极为铜电极、金电极或镍钯金电极。

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